[发明专利]阵列型片式电阻器及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列型片式电阻器，包括：

片式本体；

四对下电极，所述四对下电极被布置在所述片式本体的下表面的两侧上并且被形成以延伸至所述片式本体的边缘；

侧电极，该侧电极被形成以使所述下电极被延伸至所述片式本体的侧面；以及

电阻器，该电阻器被插在所述片式本体的所述下表面的所述下电极之间并通过接触部分电连接至所述下电极，

其中在所述侧电极的宽度被定义为d1，d1在140至233μm之间，邻近侧电极之间的距离被定义为d2及所述侧电极的高度被定义为h时，在d1/d2为0.5至1.5的情况下，h的值为4300/d1μm或更大以及为0.24d2+87.26μm或更小。

2.根据权利要求1所述的阵列型片式电阻器，其中所述片式本体具有1400μm的长度l。

3.根据权利要求1所述的阵列型片式电阻器，其中邻近侧电极之间的距离d2为200至400μm。

4.根据权利要求1所述的阵列型片式电阻器，其中所述接触部分具有在所述下电极之下形成的所述电阻器。

5.根据权利要求1所述的阵列型片式电阻器，其中所述接触部分具有在所述电阻器之下形成的所述下电极。

6.根据权利要求1所述的阵列型片式电阻器，该阵列型片式电阻器还包括：

保护层，该保护层覆盖所述电阻器并具有同时覆盖所述下电极的一部分的两侧；

调整电极，该调整电极与暴露在所述保护层的外侧的所述下电极接触；

镀覆层，该镀覆层形成在所述调整电极上；以及

绝缘层，该绝缘层用于覆盖位于该绝缘层的底侧上的所述保护层。

7.根据权利要求1所述的阵列型片式电阻器，所述阵列型片式电阻器包括四对侧电极，其中，在靠近所述片式本体的端部布置的侧电极的宽度和布置在中间部分的侧电极的宽度是彼此不同的。

8.一种阵列型片式电阻器，包括：

片式本体；

两对下电极，所述两对下电极被布置在所述片式本体的下表面的两侧上并且被形成以延伸至所述片式本体的边缘；

侧电极，该侧电极被形成以使所述下电极被延伸至所述片式本体的侧面；以及

电阻器，该电阻器被插在所述片式本体的所述下表面上的所述下电极之间并通过接触部分电连接至所述下电极，

其中在所述侧电极的宽度被定义为d1，d1在200至300μm之间，邻近侧电极之间的距离被定义为d2及所述侧电极的高度被定义为h时，在d1/d2为0.5至1.5的情况下，h的值为7000/d1μm或更大以及为0.15d2+105μm或更小。

9.根据权利要求8所述的阵列型片式电阻器，其中所述片式本体具有800μm的长度l。

10.根据权利要求8所述的阵列型片式电阻器，其中邻近侧电极之间的距离d2为200至400μm。

11.根据权利要求8所述的阵列型片式电阻器，其中所述接触部分具有在所述下电极之下形成的所述电阻器。

12.根据权利要求8所述的阵列型片式电阻器，其中所述接触部分具有在所述电阻器之下形成的所述下电极。

13.根据权利要求8所述的阵列型片式电阻器，该阵列型片式电阻器还包括：

保护层，该保护层覆盖所述电阻器并具有同时覆盖所述下电极的一部分的两侧；

调整电极，该调整电极与暴露在所述保护层的外侧的所述下电极接触；

镀覆层，该镀覆层形成在所述调整电极上；以及

绝缘层，该绝缘层用于覆盖位于该绝缘层的底侧上的所述保护层。