[发明专利]利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法

权利要求书

1. 一种利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法，其特征在于具体步骤为：

清洗硅衬底并对硅衬底进行干燥处理；

用三氟化氮等离子体对干燥后的硅衬底表面进行处理；

在经过三氟化氮等离子体处理后的硅衬底表面生长一层高介电常数栅介质层。

2. 如权利要求1所述的利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法，其特征在于，所述的用三氟化氮等离子体对硅衬底表面进行处理，是将硅衬底放入反应设备中，然后向反应设备中通入三氟化氮气体，并通过直流放电或者交流放电的方法产生三氟化氮等离子体对硅衬底表面进行处理。

3. 如权利要求1或2所述的利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法，其特征在于，所述的用三氟化氮等离子体对硅衬底表面进行处理的时间为1-30分钟。