[发明专利]用于电池组保护MOSFET的公共漏极电源夹件有效
申请号: | 201310418130.2 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103681669A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 吴春林;史蒂文·萨普;B·多斯多斯;S·贝拉尼;尹成根 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L23/495;H01L21/98;H01L21/60 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 归莹;张颖玲 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电池组 保护 mosfet 公共 电源 | ||
技术领域
本申请涉及用于电池组保护MOSFET的公共漏极电源夹件。
背景技术
存在有针对锂离子电池的各种保护机制。如果锂离子电池过度充电,可能出现较强的放热反应,且引起火灾的可能性增大。为了避免锂离子电池过度充电,使用电池保护电路。除其他组件之外,该电池保护电路通常包含两个场效应晶体管(field effect transistor,FET)开关和控制集成电路(IC)。一个FET防止电流流入电池,另一FET防止电流从电池中流出(除非控制IC允许)。
电池保护电路通常对手机、智能手机和平板电脑进行保护。在这种电子器件中,用于电路板上的组件的空间必须保持最小值。相应地,不仅器件组件本身保持最小尺寸,而且封装后的器件也必须保持最小尺寸。图1中示出了典型的电池管理电路10。系统11(例如手机、个人电脑等)具有对该系统11进行操作的电池18。电源管理电路12对两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)2、4的工作进行控制,该两个MOSFET对电池18进行充放电。二级保护电路14设置在保险丝16和将电池18连接到电源管理电路12上的线路之间。电源管理电路避免电池过度充电以及妨碍电池将来再充电的过度放电。
如图1所示,对单独的MOSFET2、4分别进行封装并连接在一起。但随着系统制作得越来越小,则需要减小MOSFET占据的净面积,且相应地需要在减小的面积上工作的器件仍正常运作或者比具有较大面积的器件更好地运作。这些需求对本领域技术人员提出挑战,这是因为减小MOSFET的尺寸通常会增大串联连接的MOSFET的电阻或源极到源极电阻(RSS)。
本发明的实施例不限于本文示出的结构的这些用途,且可对本发明的其他用途和实施例进行设想。例如,示例性实施例可与电气系统(例如,计算机系统、服务器、无线电话、电视机、电源等)中的其他组件一起安装在电路板上。本发明的实施例是耐用而稳定的。半导体芯片封装件的方面,由于暴露在外的IC芯片连接焊盘和夹件结构的存在,提供了比以前更高的封装效率以及优良的热性能。对于诸如LCD元器件的应用,这就允许了更小的空间需求,节约了成本并简化了制作程序。此外,在示例性实施例中,半桥电路在引线框架的每一相对表面上的安置,创建了更稳定而坚固的电路。在这种安置下,夹件结构可通过制模材料暴露在封装件的正面和反面两侧上,保证了良好的热性能。
本文所使用的“上”和“下”表面在相对于其上安装有本发明实施例的半导体芯片封装的电路板的相对性语境中使用。这种位置性术语可涉及或不可涉及这种封装件的绝对位置。
上述半导体芯片封装件可在用于电气装配中,该电气装配包括其上安装有封装件的电路板。半导体芯片封装件还可用于系统(如电话、电脑等)中。
“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”的任何陈述指的是一个或多个(除非与此相反地具体指出)。本文中所采用的术语和措辞作为描述的术语来使用且并非限制性的,且这些术语和措辞的使用并不排除所示出和描述的特征的等同物,需认识到在所要求的本发明范围内的各种修改均为可能的。
此外,在不脱离本发明范围的情况下,本发明的一个或多个实施例的一个或多个特征可与本发明的其他实施例的一个或多个特征相结合。
发明内容
本概要以简化形式介绍了挑选出的概念,这些概念在下面的具体实施方式中进一步描述。本概要不旨在确定所要求主题的关键特征,也不旨在用于辅助确定所要求主题的范围。
本发明提供一种单芯片,该单芯片具有两个位于同一衬底上的电隔离的MOSFET。一个实施例为常规的具有漏极夹件的垂直MOSFET,且另一实施例为具有直通漏极接触和散热块的垂直MOSFET。每个实施例需要比两个单独封装件的MOSFET所占据的空间更小的空间。每个实施例提供比任一单独的MOSFET更大的芯片。这样,两个实施例的组合的源极到源极电阻低于两个单独的MOSFET。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310418130.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的