[发明专利]复合膜、以及具备该复合膜的玻璃基材的制造方法在审
申请号: | 201310418297.9 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103787588A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 日向野怜子;泉礼子;林芳昌;山崎和彦 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 以及 具备 玻璃 基材 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种由抗反射膜及扩散抑制膜构成的复合膜、以及具备该复合膜的玻璃基材的制造方法。更详细而言,涉及一种由高耐久性的抗反射膜及扩散抑制膜构成的复合膜、以及具备该复合膜的玻璃基材的制造方法。
背景技术
已开发出在玻璃或塑料等基材的表面形成薄膜并提供新功能的各种表面处理技术,且公开了由使用硅醇盐形成于表面的二氧化硅薄膜构成的抗反射膜(专利文献1)。
在此,作为要求具有抗反射性较高的抗反射膜的基材的用途,可举出薄膜太阳能电池。图1中示出使用带抗反射膜的基材的薄膜太阳能电池的剖面示意图的一例。图1为覆板型薄膜太阳能电池的例子。薄膜太阳能电池10依次具备抗反射膜11、玻璃基材12、透明电极层13、光电转换层14、透明导电膜15及导电性反射膜16,太阳光从抗反射膜11侧入射。在此,若太阳光在玻璃基材12的太阳光的入射面上反射,则到达光电转换层14的太阳光减少,导致薄膜太阳能电池的转换效率下降。因此,需要在玻璃基材12的太阳光的入射面上形成抗反射性较高的抗反射膜11,来增加向光电转换层14入射的太阳光的透射量。
目前,使用最多的钠钙玻璃等通用玻璃含有Na、Ca。在此,由于在暴露于外界气体中的环境下使用薄膜太阳能电池,因此对于用于薄膜太阳能电池的玻璃基材的抗反射膜来说,在由外界气体的温度差或气候引起的高温且高湿度下的耐久性是必须的。薄膜太阳能电池若长期暴露于这种环境下,则存在Na或Ca从底层的玻璃基材向抗反射膜表面扩散的倾向,导致抗反射膜表面白浊,降低可见光透射率,存在降低薄膜太阳能电池的转换效率的问题。
因此,要求薄膜太阳能电池的玻璃基材具备通过赋予抗反射膜功能来增加入射的太阳光的透射量的同时抑制Na或Ca在高温高湿下向抗反射膜表面扩散的功能。
专利文献1:日本专利公开2002-161262号公报
然而,上述由使用硅醇盐形成于表面的二氧化硅薄膜构成的抗反射膜,由于Na或Ca从底层的玻璃基材向抗反射膜表面扩散,导致抗反射膜表面白浊,因此存在不适于薄膜太阳能电池等暴露于外界气体中的环境下使用之类的问题。
发明内容
本发明解决了上述问题。本发明的目的在于提供一种能够将含有Na、Ca的钠钙玻璃等通用玻璃用作高耐久性的抗反射性玻璃基材的制造方法。即,本发明的目的在于提供一种包括能够抑制玻璃基材中的Na或Ca在高温高湿下向抗反射膜表面扩散而抑制抗反射膜的白浊、且透射率较高的抗反射膜的复合膜,以及具备该复合膜的玻璃基材的制造方法。
本发明人等进行深入研究的结果发现:通过在玻璃基材上形成由以特定范围含有P的抗反射膜和以特定范围含有P的扩散抑制膜构成的复合膜,能够制造包含可抑制玻璃基材中的Na或Ca在高温高湿下向抗反射膜表面扩散而抑制抗反射膜的白浊、且透射率较高的抗反射膜的玻璃基材。本发明涉及一种通过以下所示的构成解决上述课题的由抗反射膜及扩散抑制膜构成的复合膜、以及具备该复合膜的玻璃基材的制造方法。
[1]一种复合膜,其特征在于,
该复合膜由扩散抑制膜和抗反射膜构成,其中,在使用透射电子显微镜附属的能量分散型X射线光谱分析装置进行的定量分析中,相对于Si、P及O的总计100原子%,该扩散抑制膜含有1.0~12.0原子%的P,该抗反射膜含有0.1~0.7原子%的P,
在含有选自Na及Ca中的至少一种的玻璃基材表面依次形成有扩散抑制膜、抗反射膜。
[2]上述[1]所述的复合膜,其中,抗反射膜还包含胶体二氧化硅颗粒。
[3]一种具备由抗反射膜及扩散抑制膜构成的复合膜的玻璃基材的制造方法,其特征在于,依次包括如下工序:
(1)在含有选自Na及Ca中的至少一种的玻璃基材上,通过湿式涂布法涂布复合膜用组合物,
所述复合膜用组合物包含硅醇盐、或者硅醇盐的水解物或脱水物(A)和选自正磷酸及焦磷酸的至少一种磷酸(B),并且成分(B)相对于复合膜用组合物100质量份,为0.02~0.28质量份;及
(2)将具有复合膜用组合物的涂膜的玻璃基材在100~500℃下烧成30~60分钟,获得在玻璃基材上依次形成扩散抑制膜和抗反射膜的复合膜,其中,在使用透射电子显微镜附属的能量分散型X射线光谱分析装置进行的定量分析中,相对于Si、P及O的总计100原子%,该扩散抑制膜含有1.0~12.0原子%的P,该抗反射膜含有0.1~0.7原子%的P。
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