[发明专利]一种MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺

权利要求书

1. 一种MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺，其步骤包括：

第1步 在高分子衬底上沉积器件层硅；

第2步 在器件层硅上进行光刻，并制作金属电极；

第3步 在器件层硅上再次光刻，然后深刻蚀，直到器件层硅刻蚀穿，得到陀螺仪的微结构；

第4步 去掉高分子衬底，剩下的仅为带有金属电极的器件层硅；

第5步 玻璃基板一侧刻蚀有凹槽，玻璃盖帽上分别从两侧刻蚀凹槽和通孔，玻璃基板和玻璃盖帽加工有凹槽的一侧分别紧贴器件层硅的两侧，然后两面阳极键合；

第6步 在玻璃盖帽的通孔中溅射或者蒸发金属引线材料，形成金属引线。

2.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺，其特征在于，所述玻璃基板和玻璃盖帽均采用铝硅酸盐玻璃材料。

3.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺，其特征在于，所述高分子衬底为环氧树脂E44和塞克-桐油酸酐（固化剂，呈液态）的40 %~60%配比溶液固化后的产物。

4.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺，其特征在于，第5步中，两面阳极键合的加电方式为：器件层硅接电源正极，玻璃基板和玻璃盖帽同时加载电源负极，键合温度为300℃～400℃，电压500V～1000V，同时加载压力使得玻璃与器件层硅之间紧密接触。