[发明专利]基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏

权利要求书

1.一种基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：其包括CF基板、液晶层和TFT基板，液晶层夹在CF基板和TFT基板之间；

该CF基板包括黑色遮光矩阵层和彩色滤光层，该黑色遮光矩阵层包括若干均匀分布的矩形黑色遮光块，若干黑色遮光块构成纵横交错的黑色遮光阵列，每一黑色遮光块的四个角各通过一黑色遮光条连接相邻的黑色遮光块的一个角，每一黑色遮光条与黑色遮光块的竖直边之间的夹角为30度至60度，每相邻的四个黑色遮光块及四黑色遮光条围成一八边形的彩色色阻区；彩色滤光层包括若干红色色阻块、若干绿色色阻块和若干蓝色色阻块，每一色阻块填充于黑色遮光矩阵层的一彩色色阻区内。

2.如权利要求1所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：TFT基板包括玻璃基层和栅极层；该栅极层设于玻璃基层上，其包括若干矩形栅极导电块，每一栅极导电块正对该黑色遮光矩阵层的一黑色遮光块；与围成彩色色阻区的四个黑色遮光块相对应，每四个栅极导电块构成一组，每组横向排列的两栅极导电块各通过一栅极导电条连接纵向排列的其中一栅极导电块，每一栅极导电条正对该黑色遮光矩阵层对应的一黑色遮光条。

3.如权利要求2所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：TFT基板还包括第一绝缘层、半导体有源层和源极/漏极层；

该第一绝缘层设于该栅极层上；该半导体有源层包括若干设于第一绝缘层上的矩形半导体有源块，每一半导体有源块正对该黑色遮光矩阵层的一黑色遮光块；该源极/漏极层位于该半导体有源层上，其包括若干源极/漏极导电块，每一源极/漏极导电块正对该黑色遮光矩阵层的一黑色遮光块，每一源极/漏极导电块包括源极导电条和漏极导电条，源极导电条和漏极导电条之间构成一导通沟道，位于同一纵列的每两相邻的源极导电条通过导电条电性连接，源极导电条和漏极导电条均连接半导体有源块。

4.如权利要求3所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：该导通沟道呈L型。

5.如权利要求3所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：每一导电条由长条状的上连接部、长条状的下连接部和沿纵向排列的长条状中连接部一体成型组成，上连接部和中连接部之间的夹角为30度至60度，下连接部和中连接部之间的夹角为30度至60度，每一导电条沿着八边形的彩色色阻区左边的三条连接边的路径分布，上连接部和下连接部各正对一黑色遮光条，中连接部正对该黑色遮光矩阵层的一黑色遮光块的右边。

6.如权利要求3至5中任一项所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：TFT基板还包括设于第一绝缘层上的像素电极层，其包括若干像素电极，每一像素电极的形状与彩色色阻区的形状相同，每一像素电极的尺寸小于色色阻区的尺寸，每一像素电极正对该黑色遮光矩阵层的一彩色色阻区，每一像素电极电性连接对应的一源极/漏极导电块的漏极导电条。

7.如权利要求6中任一项所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：TFT基板还包括第二绝缘层和共模信号电压电极层；该第二绝缘层设于该源极/漏极层和该像素电极层上；该共模信号电压电极层设于该第二绝缘层上，其包括若干矩形框状的导电框和与彩色色阻区相同形状的导电区，每一导电框正对该黑色遮光矩阵层的一黑色遮光块，每一导电区正对该黑色遮光矩阵层的一彩色色阻区，每一导电区连接其周边的四个导电框，每一导电区呈由中心向四周扩散的网状结构。

8.如权利要求1所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：该CF基板还包括玻璃层、保护层和间隔层；黑色遮光矩阵层和彩色滤光层位于玻璃层和保护层之间，间隔层位于保护层下方。

9.如权利要求5所述的基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏，其特征在于：每一黑色遮光条与黑色遮光块的竖直边之间的夹角为45度，对应的，上连接部和中连接部之间的夹角为45度，下连接部和中连接部之间的夹角为45度。