[发明专利]一种TSV平坦化方法有效
申请号: | 201310419924.0 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103474395A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 张文奇;顾海洋;宋崇申;于大全;上官东恺 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tsv 平坦 方法 | ||
1.一种TSV平坦化方法,其特征是,包括以下步骤:
第一步,采用机械刮平的方式,处理完成TSV电镀的晶圆表面,消除表面凸出或凹坑;
第二步,采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式,减薄晶圆表面金属层;
第三步,化学机械抛光,去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。
2.如权利要求1所述的一种TSV平坦化方法,其特征是,在进行所述第一步机械刮平操作之前,在所述晶圆表面涂覆一层聚合物层。
3.如权利要求2所述的一种TSV平坦化方法,其特征是,所述在晶圆表面涂覆的聚合物层材料是光刻胶、聚酰亚胺或苯并环丁烯。
4.如权利要求1所述的一种TSV平坦化方法,其特征是,第二步减薄,使得晶圆的表面金属层厚度小于500nm。
5.如权利要求1所述的一种TSV平坦化方法,其特征是,所述TSV由金属铜填充,填充方式为电镀。
6.如权利要求1所述的一种TSV平坦化方法,其特征是,在实施第一步机械刮平操作之前,所述晶圆已经完成退火处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造