[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一非平面晶体管于一基材上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区，该鳍包括一顶面及多个侧壁；

形成一层间介电层于该非平面晶体管上，其中该层间介电层具有一最大高度；

形成一开口，其仅穿越该层间介电层的最大高度的一部分，并暴露出该鳍的该顶面的至少一部分及所述侧壁的至少一部分；以及

填充一导电材料于该开口，以形成该源极/漏极区之一的接触组件，该接触组件与该鳍的该顶面及所述侧壁相接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该开口暴露出至少两侧壁的一部分。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该开口暴露出至少三侧壁的一部分。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该层间介电层施予一应力至该鳍的该源极/漏极区之间的区域。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含在形成该层间介电层之前，形成一接触蚀刻停止层于该非平面晶体管上，该接触蚀刻停止层施予一应力至该鳍的该源极/漏极区之间的区域。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含透过分离注入法形成该源极/漏极区。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含形成一金属硅化物于该源极/漏极区上。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含形成一金属层于于该源极/漏极区上。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形该鳍还包括：

一第一部分，包括具有一第一晶格常数的一第一材料；

一第二部分，邻接于该第一部分，该第二部分包括具有一第二晶格常数的一第二材料，该第二晶格常数不同于该第一晶格常数；以及

一第三部分，邻接于该第二部分且相对于该第一部分的位置，该第三部分包括具有该第一晶格常数的一第三材料。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，还包含一绝缘层于该非平面晶体管和该基材之间，且该层间介电层直接接触该绝缘层。