[发明专利]具有敷镀通孔的构件及制造方法在审
申请号: | 201310421157.7 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103515352A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | J·莱茵穆特;H·韦伯;T·沙里;Y·贝格曼 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/64;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 敷镀通孔 构件 制造 方法 | ||
本发明涉及一种用于制造构件的方法和具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件,其中,敷镀通孔被空槽围绕,其中,半导体衬底在一个面上具有第一层,其中,第一层在该第一面上覆盖空槽,其中,半导体衬底在第二面上具有第二层,其中,第二层在该第二面上覆盖空槽,其特征在于,敷镀通孔被环形结构围绕,其中,环形结构由半导体衬底制成并且所述围绕该环形结构的空槽被优选在与用于敷镀通孔的空槽相同的过程步骤中或者说同步/同时地制成。
技术领域
本发明涉及一种按权利要求1所述的具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件和按权利要求20所述的用于制造构件的方法。
背景技术
DE 10 2009 045 385 A1公开了—种具有半导体衬底和敷镀通孔的构件。敷镀通孔被以金属线路的形式构造成,其被设置在半导体衬底中并从衬底的上面通到底面。敷镀通孔通过绝缘层与围绕的半导体衬底分隔开。在另一种实施方式中,敷镀通孔通过环形的沟道与围绕的半导体衬底分隔开。
发明内容
本发明的任务在于,提供一种具有半导体衬底和导电的敷镀通孔的构件,其中,所述敷镀通孔可被机械稳定地并且成本有利地制造。
本发明的任务通过按权利要求1所述的构件并且通过按权利要求20所述的方法解决。
所述构件的其它有利的实施方式在从属权利要求中予以说明。
所述构件的一个优点在于,敷镀通孔可被简单并且成本有利地制造,此外还机械稳定地构造成并且在敷镀通孔的区域中形成小的(寄生)电容。这由此实现,即敷镀通孔被半导体材料的环形结构围绕。此外,敷镀通孔与围绕的半导体衬底通过围绕环形结构的环形沟道电分隔开。使用具有通道的环形结构保证了敷镀通孔的高的机械稳定性,所述通道被用导电材料至少部分地填充并且所述通道优选在与围绕环形结构的环形沟道相同的过程步骤中或者说同步/同时地制成。此外,环形结构提供了可能性,即,使用多种简单的用于填满通道的制造方法,这从CVD、ALD、溅射、电镀技术(Galvanotechnik)、分配(Dispensen)直到金属材料的液态充填或例如借助于丝网印刷方法的膏状压入来实现。
在一种构造形式中,第一层至少部分地在空槽上方和/或在敷镀通孔的区域中以栅格结构的形式构造成。栅格结构一方面能够使构件简单的加工及另一方面能够可靠及稳固地封闭围绕环形结构的空槽。
在另一种实施方式中,第一层具有绝缘层和/或防潮层。借助绝缘层提供了可靠的电绝缘及借助防潮层提供了防止湿气渗入到空槽和/或敷镀通孔中的可靠保护。
敷镀通孔在另一种实施方式中被套管状地构成,其中,敷镀通孔被设置在环形结构的内侧面上。通过套管形形状在小的材料开支的情况下提供了良好导电的敷镀通孔。
在另—种实施方式中,套管状的敷镀通孔被用绝缘材料填满。按照这种方式,敷镀通孔被防湿气地受到保护并且敷镀通孔的机械稳定性得到改善。
在另一种实施方式中,敷镀通孔在第一层的区域中具有阶梯状扩宽的直径。按照这种方式,一方面使敷镀通孔的制造得到简化及另一方面使敷镀通孔的导电性及特别是敷镀通孔的电触点接通得到改善。
在另一种实施方式中,敷镀通孔在第一层的区域中具有阶梯状缩窄的直径。这种实施方式提供的优点是,在用于构造敷镀通孔的导电材料沉积时,自动地保留一个不被填充的区域。这种构型的优点是,可更好地减少由于在用于构造敷镀通孔的材料与围绕的半导体材料之间的热膨胀系数的差异而引起的应力。
在构造具有敷镀通孔的构件时,所述敷镀通孔的直径在第一层的区域中扩宽,低欧姆的敷镀通孔可以简单的方式作为实心圆柱体或者也可以作为空心圆柱体构成。
在另一种实施方式中,敷镀通孔在外侧面上被用绝缘层覆盖。按照这种方式,改善了相对围绕的环形结构及相对构件的电绝缘。
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