[发明专利]钛酸钡系半导体瓷器组合物以及使用其的PTC热敏电阻无效

专利信息
申请号: 201310421383.5 申请日: 2013-09-16
公开(公告)号: CN103708824A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 松永达也 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王玉玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 钛酸钡 半导体 瓷器 组合 以及 使用 ptc 热敏电阻
【权利要求书】:

1.一种钛酸钡系半导体瓷器组合物,其特征在于,

Ba位点与Ti位点的摩尔比为0.985≤Ti位点/Ba位点,

以7.0mol%≤Sro<17.0mol%12.5mol%≤Ca≤19.0mol%0.035mol%≤Mn≤0.074mol%的比例含有Sr、Ca、以及Mn。

2.根据权利要求1所述的钛酸钡系半导体瓷器组合物,其特征在于,

Ba位点与Ti位点的摩尔比处于0.985≤Ti位点/Ba位点≤1.005的范围内。

3.一种PTC热敏电阻,其特征在于,

将权利要求1或2所述的钛酸钡系半导体瓷器组合物作为具有正的电阻-温度特性的热敏电阻坯件来使用。

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