[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

由第一导电膜制成的栅极；

形成在栅极上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的有源层，所述有源层由具有锌基氧化物的氧化物半导体制成；

形成在有源层上的源极和漏极；

形成在源极和漏极上以及布置在源极和漏极之间的有源层上的下钝化层，所述下钝化层由包括氧化物的绝缘层制成；

形成在下钝化层上的上钝化层，所述上钝化层由比所述下钝化层具有更高的密度的绝缘层制成。

2.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

由具有锌基氧化物的氧化物半导体制成的有源层；

形成在有源层上的源极和漏极；

形成在布置在源极和漏极之间的有源层上的栅绝缘层；

由第一导电膜制成且形成在栅绝缘层上的栅极；

形成在源极和漏极上以及布置在源极和漏极之间的有源层上的下钝化层，所述下钝化层由包括氧化物的绝缘层制成；

形成在下钝化层上的上钝化层，所述上钝化层由比所述下钝化层具有更高的密度的绝缘层制成。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中，源极和漏极包括由第二导电膜制成且形成在有源层上的第一源极和第一漏极，以及由第三导电膜制成且形成在第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括通过氧化所述第二导电膜形成的原位保护层，所述保护层形成在除源极和漏极之外的区域上。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，第一源极和第一漏极包括Ti、Ti合金、Mo和Mo合金中的至少一种，第二源极和第二漏极包括Cu、Ag和Mo中的至少一种。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的薄膜晶体管，其中，所述下钝化层包括TiOx、TaOx、AlOx和SiOx中的至少一种。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括以下步骤：

形成由第一导电膜制成的栅极；

在栅极上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成有源层，所述有源层由具有锌基氧化物的氧化物半导体制成；

在有源层上形成源极和漏极；

在源极和漏极上以及布置在源极和漏极之间的有源层上形成下钝化层，所述下钝化层由包括氧化物的绝缘层制成；

在下钝化层上形成上钝化层，所述上钝化层由比所述下钝化层具有更高的密度的绝缘层制成。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括以下步骤：

形成由具有锌基氧化物的氧化物半导体制成的有源层；

在布置在源极和漏极之间的有源层上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成由第一导电膜制成的栅极；

在有源层上形成源极和漏极；

在源极和漏极上以及布置在源极和漏极之间的有源层上形成下钝化层，所述下钝化层由包括氧化物的绝缘层制成；

在下钝化层上形成上钝化层，所述上钝化层由比所述下钝化层具有更高的密度的绝缘层制成。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，源极和漏极包括由第二导电膜制成且形成在有源层上的第一源极和第一漏极，以及由第三导电膜制成且形成在第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括通过氧化所述第二导电膜形成原位保护层的步骤，所述保护层形成在除源极和漏极之外的区域上。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，第一源极和第一漏极包括Ti、Ti合金、Mo和Mo合金中的至少一种，第二源极和第二漏极包括Cu、Ag和Mo中的至少一种。

12.根据权利要求7-11中任意一项所述的方法，其中，所述下钝化层包括TiOx、TaOx、AlOx和SiOx中的至少一种。