[发明专利]去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法

说明书

技术领域

本发明属于合金引线框架加工技术领域，具体涉及一种去除合金引线框架氧化层的组合物及其使用方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键和材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的集成材料。

在引线框架的切筋生产过程中经常发现，引线框架弯折处的镀层有起皮断裂，或者纯锡镀层完全从合金基材上脱落下来。经研究发现，上述问题的原因在于镀前处理不当，导致合金的引线框架表面具有氧化层造成的。因此，去除合金引线框架上的氧化层成为了亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种去除合金引线框架表面氧化层的组合物，能有效去除氧化层。

本发明的另一目的是提供该组合物的使用方法。

本发明所采取的技术方案是一种去除合金引线框架氧化层的组合物，它由去氧化物粉剂、浓硫酸和水组成，其中去氧化物粉剂的含量为每升所述组合物中占60～100g，浓硫酸的含量为每升所述组合物中占0.02～0.06L。

作为优选，所述去氧化物粉剂的含量为每升所述组合物中占80g，浓硫酸的含量为每升所述组合物中占0.04L。

作为优选，所述合金为铁镍合金或铁铜合金中的一种。

作为优选，所述浓硫酸的重量百分比浓度为7%～7.5%。

作为优选，所述水为去离子水。

一种利用所述组合物的使用方法，包括如下步骤：

a、取去氧化物粉剂溶于占整个水重量5/6的水中，待去氧化物粉剂全部溶解后，缓慢加入浓硫酸，再加入剩余的水，混匀，得组合物成品；

b、将所述组合物加热至40℃～50℃，然后将待需去除氧化层的合金引线框架置入所述组合物内浸泡10秒～15秒，即可。

本发明的有益效果在于：

（1）本发明组合物能有效去除合金引线框架表面的氧化层；在去除氧化层的合金引线框架上再进行电镀后，镀层柔软，延展性能好，与合金结合力强，切筋后镀层不起皮断裂、不脱落。

（2）本发明组合物配制后可以持续较长时间地进行使用，能减少去氧化物粉剂的使用次数，降低了电镀工序的生产成本。

（3）采用本发明技术，不用对现有生产设备进行任何改动，还节省了去氧化物粉剂的用量，每年在电镀工序的生产成本上能降低19262元。

具体实施方式

为使本领域技术人员详细了解本发明的生产工艺和技术效果，下面以具体的生产实例来进一步介绍本发明的应用和技术效果。

实施例一：

称取20kg去氧化物粉剂，量取10升重量百分比浓度为7%的浓硫酸和240升去离子水备用。

去取去氧化物粉剂溶于200升去离子水中，待去氧化物粉剂全部溶解后，缓慢加入浓硫酸，再加入剩余的水，混匀，得组合物成品；

将组合物加热至45℃，然后将待需去除氧化层的铁镍合金引线框架置入组合物内浸泡12秒，即可去除氧化层。

实施例二：

称取15kg去氧化物粉剂，量取10升重量百分比浓度为7.5%的浓硫酸和240升去离子水备用。

去取去氧化物粉剂溶于200升去离子水中，待去氧化物粉剂全部溶解后，缓慢加入浓硫酸，再加入剩余的水，混匀，得组合物成品；

将组合物加热至40℃，然后将待需去除氧化层的铁镍合金引线框架置入组合物内浸泡15秒，即可去除氧化层。

实施例三：

称取25kg去氧化物粉剂，量取10升重量百分比浓度为7.2%的浓硫酸和240升去离子水备用。

去取去氧化物粉剂溶于200升去离子水中，待去氧化物粉剂全部溶解后，缓慢加入浓硫酸，再加入剩余的水，混匀，得组合物成品；

将组合物加热至50℃，然后将待需去除氧化层的铁铜合金引线框架置入组合物内浸泡10秒，即可去除氧化层。

上述实施例中去氧化物粉剂由氢氟酸、氟化氢铵和铬酐混合加工而成，均采购自上海新阳有限公司，生产批号为SY0130525220803。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细说明，本领域技术人员应当理解，依然可以对本发明进行修改或者等同替换，而不脱离本发明的精神和范围的任何修改或局部替换，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。