[发明专利]具有与凹槽相对准的焊料区的封装件在审

专利信息
申请号: 201310422055.7 申请日: 2013-09-16
公开(公告)号: CN104253053A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 杨庆荣;陈宪伟;杜贤明;黄章斌;赖昱嘉;邵栋梁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 凹槽 相对 焊料 封装
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

在金属焊盘的一部分上方形成钝化层;

在所述钝化层上方形成聚合物层;

使用光刻掩模来曝光所述聚合物层,其中,所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分以及局部透明部分;

对所述聚合物层进行显影以形成开口,其中,所述金属焊盘通过所述开口被暴露;以及

在所述聚合物层上方形成后钝化互连件(PPI),其中所述PPI包括延伸至所述开口内的部分以与所述金属焊盘连接。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述局部透明部分具有大约20%至大约80%之间的光通过率。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,在曝光步骤期间,所述透明部分与所述聚合物层的第一部分相对准,其中所述第一部分在显影步骤中被去除以形成所述开口,以及所述局部透明部分与所述聚合物层的第二部分相对准,所述第二部分的顶层在所述显影步骤中被去除以形成凹槽,而所述第二部分的底层在所述显影步骤之后被保留。

4.一种方法,包括:

在金属焊盘的一部分上方形成钝化层;

在所述钝化层上方形成聚合物层;

图案化所述聚合物层以形成:

穿透所述聚合物层的开口,其中,所述金属焊盘通过所述开口被暴露;和

凹槽,延伸至所述聚合物层内但是并不穿透所述聚合物层;

在所述聚合物层上方形成后钝化互连件(PPI),其中,所述PPI包括:

PPI通孔,延伸至所述开口内以与所述金属焊盘连接;和

PPI焊盘,包括位于所述凹槽中的一部分;

将金属凸块放置在所述PPI焊盘上方;以及

对所述金属凸块进行回流,其中,所述金属凸块与所述凹槽相对准,并且电连接至所述PPI焊盘。

5.一种集成电路结构,包括:

衬底;

位于所述衬底上方的金属焊盘;

位于所述金属焊盘的一部分上方的钝化层;

位于所述钝化层上方的聚合物层;

后钝化互连件(PPI),包括:

PPI通孔,穿透所述聚合物层以与所述金属焊盘连接;以及

PPI焊盘,电连接至所述PPI通孔,其中所述PPI焊盘包括延伸至所述聚合物层的凹槽内的第一部分,所述凹槽从所述聚合物的顶面延伸至所述聚合物层的中间位置;以及

焊料区,覆盖在所述PPI焊盘上方并且电连接至所述PPI焊盘,其中所述焊料区直接位于所述PPI焊盘上方。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构,其中,所述PPI焊盘的顶面形成与所述聚合物层的凹槽相对准的额外凹槽。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构,其中,所述焊料区填充所述额外凹槽。

8.根据权利要求6所述的集成电路结构,还包括位于所述金属焊盘上方并且填充所述额外凹槽的金属饰层,其中所述焊料区与所述金属饰层接触。

9.根据权利要求5所述的集成电路结构,其中,所述凹槽具有一深度,所述聚合物层具有一厚度,并且所述深度与所述厚度的比率在大约0.2至大约0.5之间。

10.根据权利要求5所示的集成电路结构,其中,所述PPI焊盘还包括位于所述聚合物层的平坦表面上方的第二部分。

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