[发明专利]具有与凹槽相对准的焊料区的封装件在审
申请号: | 201310422055.7 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN104253053A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 杨庆荣;陈宪伟;杜贤明;黄章斌;赖昱嘉;邵栋梁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 凹槽 相对 焊料 封装 | ||
1.一种方法,包括:
在金属焊盘的一部分上方形成钝化层;
在所述钝化层上方形成聚合物层;
使用光刻掩模来曝光所述聚合物层,其中,所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分以及局部透明部分;
对所述聚合物层进行显影以形成开口,其中,所述金属焊盘通过所述开口被暴露;以及
在所述聚合物层上方形成后钝化互连件(PPI),其中所述PPI包括延伸至所述开口内的部分以与所述金属焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述局部透明部分具有大约20%至大约80%之间的光通过率。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在曝光步骤期间,所述透明部分与所述聚合物层的第一部分相对准,其中所述第一部分在显影步骤中被去除以形成所述开口,以及所述局部透明部分与所述聚合物层的第二部分相对准,所述第二部分的顶层在所述显影步骤中被去除以形成凹槽,而所述第二部分的底层在所述显影步骤之后被保留。
4.一种方法,包括:
在金属焊盘的一部分上方形成钝化层;
在所述钝化层上方形成聚合物层;
图案化所述聚合物层以形成:
穿透所述聚合物层的开口,其中,所述金属焊盘通过所述开口被暴露;和
凹槽,延伸至所述聚合物层内但是并不穿透所述聚合物层;
在所述聚合物层上方形成后钝化互连件(PPI),其中,所述PPI包括:
PPI通孔,延伸至所述开口内以与所述金属焊盘连接;和
PPI焊盘,包括位于所述凹槽中的一部分;
将金属凸块放置在所述PPI焊盘上方;以及
对所述金属凸块进行回流,其中,所述金属凸块与所述凹槽相对准,并且电连接至所述PPI焊盘。
5.一种集成电路结构,包括:
衬底;
位于所述衬底上方的金属焊盘;
位于所述金属焊盘的一部分上方的钝化层;
位于所述钝化层上方的聚合物层;
后钝化互连件(PPI),包括:
PPI通孔,穿透所述聚合物层以与所述金属焊盘连接;以及
PPI焊盘,电连接至所述PPI通孔,其中所述PPI焊盘包括延伸至所述聚合物层的凹槽内的第一部分,所述凹槽从所述聚合物的顶面延伸至所述聚合物层的中间位置;以及
焊料区,覆盖在所述PPI焊盘上方并且电连接至所述PPI焊盘,其中所述焊料区直接位于所述PPI焊盘上方。
6.根据权利要求5所述的集成电路结构,其中,所述PPI焊盘的顶面形成与所述聚合物层的凹槽相对准的额外凹槽。
7.根据权利要求6所述的集成电路结构,其中,所述焊料区填充所述额外凹槽。
8.根据权利要求6所述的集成电路结构,还包括位于所述金属焊盘上方并且填充所述额外凹槽的金属饰层,其中所述焊料区与所述金属饰层接触。
9.根据权利要求5所述的集成电路结构,其中,所述凹槽具有一深度,所述聚合物层具有一厚度,并且所述深度与所述厚度的比率在大约0.2至大约0.5之间。
10.根据权利要求5所示的集成电路结构,其中,所述PPI焊盘还包括位于所述聚合物层的平坦表面上方的第二部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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