[发明专利]BSI图像传感器件的新型背面结构

权利要求书

1.一种图像传感器件，具有辐射吸收区和辐射阻挡区，所述图像传感器件包括：

衬底，具有正面和背面，并且延伸横跨所述辐射吸收区和所述辐射阻挡区；

多个辐射传感器，在所述辐射吸收区的所述衬底中形成为与所述正面相邻，可操作所述辐射传感器以检测穿过所述背面进入所述衬底的辐射波；

第一绝缘层，形成在所述衬底的背面的上方；

抗反射涂层，形成在所述第一绝缘层上方；

导电层，形成在所述辐射阻挡区中，所述导电层包括设置在所述抗反射涂层上方的水平部分以及一个或多个垂直部分，所述一个或多个垂直部分从所述水平部分基本垂直地延伸、穿透所述抗反射涂层和所述第一绝缘层、并且到达所述衬底以使所述导电层接地，所述一个或多个垂直部分中的每一个都具有基本上与所述水平部分垂直的侧壁；以及

侧壁绝缘层，设置在每一个垂直部分的侧壁与周围的所述抗反射涂层之间以在它们之间提供电隔离。

2.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述图像传感器件是背照式（BSI）图像传感器。

3.根据权利要求1所述的图像传感器件，还包括：形成在所述导电层的水平部分与所述抗反射涂层之间的第二绝缘层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器件，还包括：形成在所述导电层上方的第三绝缘层。

5.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，每一个所述侧壁绝缘层都由氧化物材料制成。

6.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述一个或多个垂直部分中的每一个大体都具有细长盒状外壳的配置。

7.一种器件，包括：

衬底，具有正面和背面；

辐射传感器，在辐射吸收区中的所述衬底中形成为邻近所述正面，可操作所述辐射传感器以检测穿过所述背面进入所述衬底的辐射波；

互连结构，形成在所述衬底的正面上；

抗反射涂层，形成在所述衬底的背面上，所述抗反射涂层在其中限定向下到达至所述衬底的背面的一个或多个沟槽；以及

金属接地结构，包括：

水平金属栅格，形成在部分所述抗反射涂层的上方以阻止任何辐射进入其下方的所述衬底的背面；

一个或多个金属接地件，从所述水平金属栅格基本上垂直地延伸，穿过所述一个或多个沟槽进入所述抗反射涂层，并且到达所述衬底以达到电接地的目的，所述一个或多个金属接地件中的每一个都具有基本上与所述水平金属栅格垂直的的侧壁；和

侧壁绝缘层，设置在每一个所述金属接地件的侧壁与周围的所述抗反射涂层之间以在它们之间提供电隔离。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述辐射传感器是背照式（BSI）图像传感器的一部分。

9.根据权利要求7所述的器件，还包括：

第一绝缘层，形成在所述衬底与所述抗反射涂层之间。

10.一种制造具有辐射吸收区和辐射阻挡区的图像传感器件的方法，所述方法包括：

提供横跨所述辐射吸收区和所述辐射阻挡区延伸的衬底，所述衬底具有在所述辐射吸收区中形成为与正面邻近的多个辐射传感器，可操作所述辐射传感器以检测穿过背面进入所述衬底的辐射波；

在所述衬底的背面上方形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成抗反射涂层；

形成穿过所述抗反射涂层和所述第一绝缘层、并且部分地进入所述衬底的一个或多个沟槽，每一个沟槽都具有由所述抗反射涂层、所述第一绝缘层和部分所述衬底的侧面部分限定的内沟槽壁；

在每一个所述内沟槽壁周围都形成侧壁绝缘层；

在所述辐射阻挡区中形成包括水平部分和一个或多个垂直部分的导电层，所述水平部分设置在所述抗反射涂层上方，以及所述一个或多个垂直部分从所述水平部分基本上垂直地延伸，进入相应的所述一个或多个沟槽内，同时通过相应的所述侧壁绝缘层与相应的所述内沟槽壁分离，并且到达所述衬底以达到接地目的。