[发明专利]一种对场氧化层进行处理的方法及应用有效
| 申请号： | 201310422364.4 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465367B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场氧化层 干法刻蚀 硅片 刻蚀液 半导体技术领域 化学机械研磨 半导体器件 清洗液 清洗 应用 | ||
1.一种对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，包括：
采用腐蚀液对形成场氧化层的硅片表面的氮氧化硅层进行腐蚀，去除所述氮氧化硅层，暴露出所述氮氧化硅层下方的氮化硅层；
采用加热后的磷酸对所述腐蚀后硅片表面的氮化硅层进行进一步腐蚀，去除所述氮化硅层，暴露出所述氮化硅层下方的鸟头结构；
在进一步腐蚀后的硅片上涂布刻蚀液；
对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀；
采用清洗液对干法刻蚀后的硅片进行清洗。
2.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀具体为：对涂布刻蚀液的硅片进行干法刻蚀，维持刻蚀液的刻蚀速率和场氧化层的刻蚀速率的比例范围为1:1～1.2。
3.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述刻蚀液为旋涂玻璃，所述清洗液为0.96％～1％浓度的氢氟酸溶液；或者，所述刻蚀液为光阻，所述清洗液为4:1体积比的98％浓度的浓硫酸和35％浓度的双氧水的混合液。
4.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述腐蚀液为0.96％～1％浓度的氢氟酸溶液；或者，所述腐蚀液为6:1体积比的49％浓度的氢氟酸和40％浓度的氟化铵的混合液。
5.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，所述加热后的磷酸的加热温度为160℃～180℃。
6.如权利要求1所述的对场氧化层进行处理的方法，其特征在于，在进一步腐蚀后的硅片上涂布刻蚀液具体为：在进一步腐蚀后的硅片上涂布厚度为1～2微米的刻蚀液。
7.权利要求1～6任一项所述的对场氧化层进行处理的方法在半导体器件制造工艺中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
