[发明专利]具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法

权利要求书

1.具有空穴复合层的IGBT终端结构，其结构包括与IGBT有源区相连接的IGBT终端结构，所述IGBT终端结构包括N^-漂移区（7）、N型缓冲层（8）、P⁺集电区（9）、金属集电极（10）、P型等位环（12）、P型场限环（14）和N⁺截止环（20）；其中N型缓冲层（8）位于N^-漂移区（7）和P⁺集电区（9）之间，P⁺集电区（9）位于N型缓冲层（8）和金属集电极（10）之间；所述P型等位环（12）位于靠近IGBT有源区的N^-漂移区（7）中，P型等位环（12）中具有等位环的P⁺接触区（11），所述等位环的P⁺接触区（11）通过金属连线实现与IGBT有源区中金属发射极的等电位连接；所述N⁺截止环（20）位于远离IGBT有源区的N^-漂移区（7）中；P型等位环（12）和N⁺截止环（20）之间的N^-漂移区（7）中具有若干P型场限环（14）；P型等位环（12）、P型场限环（14）、N⁺截止环（20）和N^-漂移区（7）的表面具有场氧化层（16），场氧化层（16）表面与P型等位环（12）、P型场限环（14）和N⁺截止环（20）对应的位置处分别具有金属场板（13、15、18和19）；在所述P型等位环（12）内还具有空穴复合层（21），所述空穴复合层（21）由注入到P型等位环（12）内的碳离子和氧离子经400～550℃温度条件下的退火处理所形成。 

2.具有空穴复合层的IGBT终端结构的制备方法，包括如下工艺步骤：在IGBT制造工艺中终端N^-漂移区（7）中硼注入与推阱分别形成P型等位环（12）、P型场限环（14）和N⁺截止环（20）后，在P型等位环（12）内进行碳离子和氧离子注入，然后经400～550℃温度条件下的退火处理形成P型等位环（12）内的空穴复合层（21）。 

3.根据权利要求2所述的具有空穴复合层的IGBT终端结构的制备方法，其特征在于，所述碳离子注入的能量和剂量分别为：40～60KeV、1E12～3E12cm^-2，所述氧离子注入的能量和剂量分别为：50～70KeV、2E12～6E12cm^-2。