[发明专利]太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件有效
申请号: | 201310423223.4 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN103474484A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 宋秋明;李朝晖;谭兴;顾光一;陈旺寿;肖旭东 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 器件 电极 及其 制备 方法 以及 | ||
1.一种太阳电池器件的背电极,其特征在于,包括金属导电层和层叠于所述金属导电层上的氧化铝钝化层,所述氧化铝钝化层上具有多个纳米尺寸的孔洞。
2.根据权利要求1所述的太阳电池器件的背电极,其特征在于,多个所述纳米尺寸的孔洞呈周期阵列排布。
3.根据权利要求1所述的太阳电池器件的背电极,其特征在于,每个所述纳米尺寸的孔洞的形状为圆柱形,该圆柱形的孔径为d,相邻两个所述纳米尺寸的孔洞的横截面的几何中心的距离为L,太阳电池器件的光吸收层的厚度为t,载流子在所述光吸收层的扩散长度为k,所述L、t和k满足:
4.根据权利要求3所述的太阳电池器件的背电极,其特征在于,0.1μm≤d≤2μm。
5.根据权利要求3所述的太阳电池器件的背电极,其特征在于,0.5μm≤L≤10μm。
6.根据权利要求1所述的太阳电池器件的背电极,其特征在于,所述金属导电层的厚度为0.1微米~2微米。
7.根据权利要求1所述的太阳电池器件的背电极,其特征在于,所述氧化铝钝化层的厚度为5纳米~100纳米。
8.一种太阳电池器件的背电极的制备方法,包括如下步骤:
采用磁控溅射制备金属导电层;
在所述金属导电层的一个表面上涂覆光刻胶,曝光显影后在所述金属导电层的表面上形成光刻胶膜岛;
采用原子层沉积工艺在形成有所述光刻胶膜岛的金属导电层的表面上沉积氧化铝钝化层;及
除去所述光刻胶膜岛,在所述氧化铝钝化层上形成多个纳米尺寸的孔洞,得到太阳电池器件的背电极。
9.一种太阳电池器件,包括依次层叠的衬底、背电极、光吸收层、缓冲层、窗口层和透明电极层,其特征在于,所述背电极包括层叠于所述衬底上的金属导电层和层叠于所述金属导电层上的氧化铝钝化层,所述氧化铝钝化层上具有多个纳米尺寸的孔洞。
10.根据权利要求9所述的太阳电池器件,其特征在于,所述光吸收层为铜铟镓硒薄膜光吸收层、铜锌锡硫薄膜光吸收层、铜锌锡硒薄膜光吸收层或碲化镉薄膜光吸收层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的