[发明专利]一种钩吻的快速繁殖方法无效

专利信息
申请号: 201310423647.0 申请日: 2013-09-17
公开(公告)号: CN103444544A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 杨存 申请(专利权)人: 南京通泽农业科技有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210046 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 繁殖 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及植物组织培养的快繁方法,属于植物技术领域。

背景技术

钩吻,又名大茶药、断肠草等,钩吻是马钱子科植物胡蔓藤,多年生常绿藤本植物。主要分布在广西、云南、贵州、湖南、福建、江西及浙江等地;性温,味苦、辛;有大毒。外用具有祛风散疾、消肿止痛、攻毒杀虫的功能,主治疥傲、湿疹、疲疲、痈肿、疗疮、体癣、跌打损伤、风湿痹痛、神经痛,抑制肿瘤细胞生长、局部用于扩陇、免疫调节等方面。中国钩吻已分离出17种单体,其中以钩吻素己毒性最强。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种钩吻的快速繁殖方法,由该方法所制备得到的钩吻组培幼苗生长周期短,成活率高,可控性好,可以规模化的进行生产。

本发明所要解决的技术问题是通过以下方案来实现的:

选用钩吻生长健壮的茎段,用洗衣粉浸泡三分钟,自来水冲洗25分钟,在超净工作台上用75%酒精处理30秒,0.1%的升汞消毒12分钟,无菌水冲洗 4-5 次,接种在B5+PP333 0.5mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入 增殖培养基B5+IBA1mg/L+赤霉素0.6mg/L上进行增殖培养,培养条件为光照2000lx,光期12h,暗期12h,温度25℃,湿度50%~60%,30天后转入生根培养基MS+NAA0.2~1 mg/L中诱导生根,培养条件为光照4000lx,光期14h,暗期10h,温度27℃,湿度50%~60%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,大田大规模生产。

采用本发明培养出来的试管苗长势好,生长速度快,成活率达95%,周期短,操作可控,可进行工业扩大化生产。

下面将结合具体实施方式对本发明作进一步阐述,但本发明要求保护的范围并不局限于下列实施方式。

具体实施方式

实施例1

选用钩吻生长健壮的茎段,用洗衣粉浸泡三分钟,自来水冲洗25分钟,在超净工作台上用 75%酒精处理30秒,0.1%的升汞消毒 12分钟,无菌水冲洗 4-5 次,接种在 B5+PP333 0.3mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基B5+IBA0.5mg/L+赤霉素1mg/L上进行增殖培养,培养条件为光照2000lx,光期12h,暗期12h,温度25℃,湿度50%~60%,30天后转入生根培养基MS+NAA0.2mg/L中诱导生根,培养条件为光照4000lx,光期14h,暗期10h,温度27℃,湿度50%~60%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,大田大规模生产,成活率达80%。

实施例2

选用钩吻生长健壮的茎段,用洗衣粉浸泡三分钟,自来水冲洗25分钟,在超净工作台上用75%酒精处理30秒,0.1%的升汞消毒 12分钟,无菌水冲洗 4-5 次,接种在 B5+PP333 1mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基B5+IBA1.5mg/L+赤霉素1mg/L上进行增殖培养,培养条件为光照2000lx,光期12h,暗期12h,温度25℃,湿度50%~60%,30天后转入生根培养基MS+NAA1 mg/L中诱导生根,培养条件为光照4000lx,光期14h,暗期10h,温度27℃,湿度50%~60%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,大田大规模生产,成活率达85%。

实施例3

选用钩吻生长健壮的茎段,用洗衣粉浸泡三分钟,自来水冲洗25分钟,在超净工作台上用 75%酒精处理30秒,0.1%的升汞消毒 12分钟,无菌水冲洗 4-5 次,接种在 B5+PP333 0.5mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基B5+IBA1.5mg/L+赤霉素1mg/L上进行增殖培养,培养条件为光照2000lx,光期12h,暗期12h,温度25℃,湿度50%~60%,30天后转入生根培养基MS+NAA0.2 mg/L中诱导生根,培养条件为光照4000lx,光期14h,暗期10h,温度27℃,湿度50%~60%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,大田大规模生产,成活率达90%。

实施例4

选用钩吻生长健壮的茎段,用洗衣粉浸泡三分钟,自来水冲洗25分钟,在超净工作台上用 75%酒精处理30秒,0.1%的升汞消毒 12分钟,无菌水冲洗 4-5 次,接种在 B5+PP333 1mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基B5+IBA0.5mg/L+ 赤霉素1mg/L上进行增殖培养,培养条件为光照2000lx,光期12h,暗期12h,温度25℃,湿度50%~60%,30天后转入生根培养基MS+NAA0.2mg/L中诱导生根,培养条件为光照4000lx,光期14h,暗期10h,温度27℃,湿度50%~60%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,大田大规模生产,成活率达92%。

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