[发明专利]Al或Al合金

说明书

本申请是申请号：200880014768.7，申请日：2008.04.18，发明名称：“Al或Al合金”的申请的分案申请。

技术领域

本发明属于涉及Al或Al合金的技术领域，特别是属于涉及到CVD装置、PVD装置、离子注入装置、溅射装置、干法刻蚀装置等的半导体和液晶的制造装置的真空室的构件和设于其内部的构件所使用的Al或Al合金的技术领域。

背景技术

在CVD装置、PVD装置、离子注入装置、溅射装置、干法刻蚀装置等的半导体和液晶的制造装置的真空室的内部，由于含有卤族元素的腐蚀性气体作为反应气体、刻蚀气体、清洗气体被导入，因此要求其具有对于腐蚀性气体的耐腐蚀性(以下也称为耐气体腐蚀性)。另外，在上述真空室之中，因为多使卤族的等离子体发生，所以对于等离子体的耐性(以下也称为耐等离子体性)也受到重视(参照特开2003-34894号公报，特开2004-225113号公报等)。近年来，作为这样的真空室的构件，采用的是轻量且热传导性优异的Al和Al合金。

然而，Al和Al合金不具有充分的耐气体腐蚀性及耐等离子体性，因此提出有各种用于使这些特性提高的表面改质技术，但是仍期望这些特性的进一步提高。

在耐等离子体性的提高上，有效的是使Al和Al合金的表面形成高硬度的阳极氧化膜。高硬度的阳极氧化膜对于等离子体的物理能造成的磨耗具有耐性，能够提高耐等离子体性(参照特开2004-225113号公报等)。

然而，高硬度的阳极氧化膜容易发生裂纹，若裂纹发生并贯通阳极氧化膜，则存在的问题是，腐蚀性气体通过该贯通了的裂纹(以下也称为贯通裂纹)侵入，基材的Al和Al合金发生腐蚀。

因此，仅仅在Al和Al合金的表面形成高硬度的阳极氧化膜，即使能够提高耐等离子体性，但仍会招致这样的问题点，即，阳极氧化膜容易发生贯通裂纹，由此引起基材的Al和Al合金发生腐蚀。因此，就期望形成一种阳极氧化膜，其不仅具有高硬度，而且还具有难以发生贯通裂纹的特性(以下也称为耐裂纹性)。即，期望形成一种即使在高硬度下，耐裂纹性也优异的阳极氧化膜。

特别是，若为了抑制半导体晶片和液晶玻璃基板的Fe污染而减少Al合金中的Fe含量，则成为Fe的含量少的阳极氧化皮膜，但因为该阳极氧化皮膜变硬，所以耐裂纹性差，因此强烈期望其耐裂纹性的提高。

专利文献1：特开2003-34894号公报

专利文献2：特开2004-225113号公报

发明内容

本发明鉴于这样的情况而做，其目的在于，提供一种Al或Al合金，其具有即使在高硬度下耐裂纹性也优异的阳极氧化膜。

本发明者们为了达成上述目的而锐意研究，其结果直至完成本发明。根据本发明能够达成上述目的。

即，能够如此完成并达成上述目的的本发明，是涉及下述(1)～(3)所述的Al或Al合金。

(1)是一种具有阳极氧化膜的Al或Al合金，所述阳极氧化膜在其厚度方向具有硬度不同的部位，所述阳极氧化膜表面侧的硬度比基材侧高，硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为15以上30以下。

(2)所述(1)记载的Al或Al合金，其所述硬度最小部位的硬度以维氏硬度计为300以上。

(3)所述(2)记载的Al或Al合金，其所述阳极氧化膜的Fe含量500ppm以下。

本发明的Al或Al合金具有即使在高硬度下耐裂纹性仍优异的阳极氧化膜。该阳极氧化膜即使为高硬度，耐裂纹性也优异(难以发生贯通裂纹)，因此，由于阳极氧化膜的贯通裂纹发生而引起的基材的Al和Al合金的腐蚀难以发生(即，耐气体腐蚀性的降低难以发生)。因此，即使为了提高耐等离子体性而提高阳极氧化膜的硬度时，耐气体腐蚀性的降低仍难以发生。因此，不会招致耐气体腐蚀性的降低，耐等离子体性的提高被实现。

附图说明

图1是表示在阳极氧化皮膜面(30mm×30mm面)内局部性地发生裂纹时的全部裂纹发生状况的图。

图2是表示在阳极氧化皮膜面(30mm×30mm面)内裂纹均一发生时的一部分裂纹发生状况(235μm×180μm面内的裂纹发生状况)的图。

具体实施方式

本发明的Al或Al合金，如前述，是具有阳极氧化膜的Al或Al合金，其中，所述阳极氧化膜在其厚度方向具有硬度不同的部位，其中的硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为5以上。这样的阳极氧化膜即使为高硬度，耐裂纹性也优异。以下说明其详情。