[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

扫描线以及数据线，设置于基板上；

薄膜晶体管，设置于该基板上，且与该扫描线以及该数据线电连接，该薄膜晶体管包括：

栅极，设置于该基板上；

氧化物半导体层，设置于该栅极上，其中该氧化物半导体层包括通道区与多个接触区，且该通道区位于该多个接触区之间，而该多个接触区经由表面改质处理比该通道区具有较佳的导体特性；

绝缘层，覆盖该氧化物半导体层的该通道区；以及

源极以及漏极，设置于该绝缘层上，且分别与该氧化物半导体层电连接；

第一电极层，与该氧化物半导体层为相同膜层，且该第一电极层由该扫描线与该数据线环绕，其中该多个接触区中的一个位于该通道区与该第一电极之间；

保护层，覆盖该源极、该漏极、该氧化物半导体层、该第一电极层以及该基板；以及

第二电极层，设置于该第一电极层上，且该保护层位于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第一电极层以及该第二电极层中的其中一个与该薄膜晶体管电连接，且另一个连接至共用电压，且其中该第二电极层具有多个狭缝，该多个狭缝暴露出该第一电极层的面积。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其中该第一电极层与该薄膜晶体管电连接，且该第二电极层连接至该共用电压。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其中该第一电极层与该薄膜晶体管的该漏极直接接触，该保护层完整地覆盖该漏极。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其中该第二电极层与该薄膜晶体管电连接，且该第一电极层连接至该共用电压。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其中该保护层具有暴露出该漏极的接触窗开口，且该第二电极层填入该接触窗开口中以与该薄膜晶体管的该漏极接触。

6.根据权利要求1所述的像素结构，还包括栅绝缘层，覆盖该栅极，且位于该栅极与该氧化物半导体层之间。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其中该氧化物半导体层的材料包括氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铟镓或氧化铟锌。

8.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

于基板上形成扫描线以及栅极；

于该基板上形成氧化物半导体层以及第一电极层，该第一电极层与该氧化物半导体层为相同膜层，且该氧化物半导体层设置于该栅极上，该氧化物半导体层包括通道区与多个接触区，其中该通道区位于该多个接触区之间，而该多个接触区中的一个位于该通道区与该第一电极之间，且该多个接触区经由表面改质处理比该通道区具有较佳的导体特性；

于该基板上形成源极、漏极以及数据线，该第一电极层由该扫描线与该数据线所环绕且该源极以及该漏极分别与该氧化物半导体层电连接，其中该栅极、该氧化物半导体层、该源极以及该漏极形成薄膜晶体管，且该薄膜晶体管与该扫描线以及该数据线电连接；

形成保护层，覆盖该源极、该漏极、该氧化物半导体层、该第一电极层以及该基板；以及

于该第一电极层上形成第二电极层，且该保护层位于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第一电极层以及该第二电极层中的其中一个与该薄膜晶体管电连接，且另一个连接至共用电压，且其中该第二电极层具有多个狭缝，该多个狭缝暴露出该第一电极层的面积。

9.根据权利要求8所述的像素结构的制造方法，其中形成该扫描线以及该栅极的方法包括将第一导电材料层形成于该基板上，再将该第一导电材料层图案化以形成该扫描线以及该栅极。

10.根据权利要求8所述的像素结构的制造方法，还包括形成栅绝缘层，覆盖该栅极，且位于该栅极与该氧化物半导体层之间。

11.根据权利要求8所述的像素结构的制造方法，其中形成该氧化物半导体层以及该第一电极层的方法包括：

于该基板上形成氧化物半导体材料层；以及

图案化该氧化物半导体材料层，以形成氧化物半导体层以及第一电极层，其中该氧化物半导体层位于该栅极上方而该第一电极层由该扫描线与该数据线环绕。

12.根据权利要求11所述的像素结构的制造方法，还包括：

于该氧化物半导体层上形成绝缘层，覆盖该氧化物半导体层的该通道区。