[发明专利]P型鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供锗硅基底；

在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；

湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；

以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；

去除所述硅线。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述锗硅基底上形成硅层的方法为外延生长。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在湿法刻蚀所述硅层过程使用的刻蚀剂为四甲基氢氧化铵水溶液。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵水溶液的体积浓度范围为1%-40%，温度范围为大于等于20℃且小于100℃。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，湿法刻蚀所述硅层形成硅线的方法包括：

在所述硅层上形成硬掩模层；

对所述硬掩模层进行图形化，形成硬掩模线，所述硬掩模线定义硅线的位置；

以所述硬掩模线为掩模，湿法刻蚀所述硅层形成硅线；

去除所述硬掩模线。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述去除硬掩模线的方法为湿法刻蚀。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部的方法为干法刻蚀。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀所述锗硅基底过程，使用CF₄。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀所述锗硅基底过程中，射频功率范围为50w-500W；压强范围为2mTorr-100mTorr，偏置电压范围为0-200V；CF₄气体的流量范围为10sccm-500sccm。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述硅线的方法为使用湿法刻蚀所述硅线。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在湿法刻蚀所述硅线过程中使用的刻蚀剂为硝酸溶液，或者使用的刻蚀剂为双氧水与氢氟酸溶液的混合溶液。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述锗硅基底为刻蚀部分厚度的所述锗硅基底；

在去除所述硅线后，在剩余锗硅基底上形成绝缘层，所述鳍部高于绝缘层；或者，在形成所述鳍部后，去除所述硅线前，在剩余锗硅基底上形成绝缘层，所述鳍部高于绝缘层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述锗硅基底下还形成有底部硅层和位于底部硅层上的绝缘层；

刻蚀所述锗硅基底为刻蚀全部厚度的锗硅基底。

14.如权利要求12或13所述的形成方法，其特征在于，在去除所述硅线后，还包括：

在所述绝缘层上形成横跨鳍部的栅介质层和栅极；

在形成所述栅极后，在所述鳍部两端分别形成源极、漏极，所述源极与栅极之间、所述漏极与栅极之间相互隔开。

15.如权利要求12或13所述的形成方法，其特征在于，在去除所述硅线后，还包括：在所述绝缘层上形成横跨鳍部的伪栅极；

在所述鳍部两端分别形成源极、漏极，所述源极与栅极之间、所述漏极与栅极之间相互隔开；

在所述绝缘层上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅极上表面持平；

去除所述伪栅极形成伪栅沟槽；

在所述伪栅沟槽中形成横跨所述鳍部的高K栅介质层和位于高K栅介质层上的栅极。