[发明专利]欧姆接触结构与具有该欧姆接触结构的半导体元件在审
| 申请号： | 201310424937.7 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465729A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;廖庭维;管杰雄;黄宗义;杨宗谕 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 结构 具有 半导体 元件 | ||
1.一种欧姆接触结构，其特征在于，包含：
一半导体基板，具一顶面；
多个微结构，设置于该顶面上；以及
一导电层，设置于该多个微结构上；
其中，该导电层与该半导体基板形成一欧姆接触。
2.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中，该导电层还包括一缓冲层，设置于该半导体基板上，且部分该缓冲层填入或包覆该些微结构以密贴于该顶面。
3.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中，该微结构的尺径小于10微米。
4.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中，该导电层包括金属、金属化合物、导电高分子或多晶硅等导电材料的组合。
5.如权利要求2所述的欧姆接触结构，其中，该导电层还包括一阻障层，该阻障层由金属或金属化合物所制成，设置于该缓冲层上。
6.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中，该微结构为微孔洞或微突状物，或该些微结构的几何形状为圆柱形、方柱形、或锥形。
7.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其中，该多个微结构为阵列或比例方式分布于该顶面上。
8.如权利要求2所述的欧姆接触结构，其中，该缓冲层的材料为IV族元素、IV族元素的混合物、IV族元素的化合物、金属、金属的混合物、或金属的化合物所构成。
9.如权利要求2所述的欧姆接触结构，其中，经过热退火后，通过该缓冲层与该半导体基板间的熔融合金或掺杂作用，以形成该欧姆接触。
10.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一欧姆接触结构，包括：
一半导体基板，具一顶面；
多个微结构，设置于该顶面上；以及
一第一导电层，设置于该多个微结构上；
其中，该第一导电层与该半导体基板形成一欧姆接触；
一电流流入端，与该第一导电层电连接；以及
一电流流出端，与一第二导电层电连接，其中该第二导电层与该半导体基板形成欧姆接触。
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中，该第一导电层，还包括：一缓冲层，设置于该半导体基板上，且部分该缓冲层填入或包覆该些微结构以密贴于该顶面。
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中，该缓冲层为IV族元素、IV族元素的混合物、IV族元素的化合物、金属、金属的混合物、或金属的化合物所构成。
13.如权利要求10所述的半导体元件，其中，该导电层包括金属、金属化合物、导电高分子或多晶硅等导电材料的组合。
14.如权利要求10所述的半导体元件，其中，该微结构为微孔洞或微突状物，或该些微结构的几何形状为圆柱形、方柱形、或锥形。
15.如权利要求10所述的半导体元件，其中，该多个微结构为阵列或比例方式分布于该顶面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立锜科技股份有限公司，未经立锜科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310424937.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高效率射频LDMOS器件及其制造方法
- 下一篇：有机发光二极管的像素结构
- 同类专利
- 专利分类
