[发明专利]形成栅极的方法

权利要求书

1.一种形成栅极的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成栅介质层；

对所述栅介质层表面进行还原气体焙烤；

对所述栅介质层表面进行吹扫；

在吹扫过的栅介质层表面上形成栅极层，所述吹扫温度在400～800摄氏度的范围；

图形化所述栅极层以形成栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用高介电常数材料制成所述栅介质层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原气体焙烤的步骤包括：采用氢气对所述栅介质层表面进行焙烤。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原气体焙烤的步骤包括：采用氘气对所述栅介质层表面进行焙烤。

5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述还原气体焙烤的步骤包括：焙烤温度在400～800摄氏度的范围，焙烤压强在0.1～700托的范围。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原气体焙烤步骤包括：在所述还原气体中混入氮气。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对栅介质层表面进行吹扫的步骤包括：采用氯化氢气体对栅介质层表面进行吹扫。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对栅介质层表面进行吹扫的步骤包括：采用二氯乙烷气体对栅介质层表面进行吹扫。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述对栅介质层表面进行吹扫的步骤包括：吹扫压强在0.1～700托的范围。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：采用硅烷形成所述栅极层。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：采用乙硅烷形成所述栅极层。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：通过化学气相沉积的方法形成所述栅极层。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积为低压化学气相沉积。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在低压化学气相沉积时，沉积温度在450～750摄氏度的范围，沉积压强在0.1～300托的范围。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极层形成在晶圆上，所述形成栅极层的步骤包括：分别在单个晶圆上形成所述栅极层。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极层形成在晶圆上，所述形成栅极层的步骤包括：同时在多个晶圆上形成所述栅极层。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：通过炉管在所述晶圆上形成栅极层。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：所述栅极层为多晶硅层。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：所述栅极层为非晶硅层。