[发明专利]求解Al/SiO2/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法无效
| 申请号： | 201310425866.2 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103487001A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 董健;蒋恒 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | G01B21/32 | 分类号： | G01B21/32 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 王兵;黄美娟 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 求解 al sio sub si 三层 mems 悬臂梁 结构 弹性 变形 方法 | ||
1.一种求解Al/SiO2/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法，包括以下步骤：
（1）利用MEMS工艺制作的Al/SiO2/Si三层悬臂梁结构，其各层杨氏模量和厚度是已知，设杨氏模量比γ1=E1/E2,γ2=E3/E2，厚度比r1=h1/h2，r2=h3/h2，其中E1，E2，E3，h1，h2，h3分别依次表示硅基底、二氧化硅膜、铝膜的杨氏模量和厚度;
（2）在一定的工艺条件下，经过加工制造和后处理过程，不同材料膜所产生的残余应力是可以通过查询相关文献得到的，设硅基底、二氧化硅膜、铝膜的残余应力依次为σres,1，σres,2，σres,3;
（3）将上述数据代入Stoney延伸公式其中
这里的εres,i表示第i层膜的残余应变，εres,i=σres,iEi,i=1,2,3。
κben就是Al/SiO2/Si三层MEMS悬臂梁结构的弯曲曲率。
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