[发明专利]取向织构的二氧化钛纳米管阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310426257.9 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN103498182A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 潘登余;李珍;黄河;薛琪;王雪嫄;吴明红 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 取向 氧化 纳米 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种取向织构的二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于该方法的具体步骤为:

a. 采用阳极氧化法,将预处理后的钛片进行二次阳极氧化,异丙醇超声清洗以洗掉纳米管阵列表面残留的电解质以及杂质,得到TiO2纳米管阵列;

b.将步骤a 所得TiO2纳米管阵列以0.5-1.5℃/min 的升温速度升温至400-500℃,在真空退火保温1-3h,再以和0.5-1.5℃/min 的降温速率降至室温,即得到取向织构的二氧化钛纳米管阵列。

2.根据权利要求1所述的取向织构的二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的钛片的预处理方法为:配制HF,HNO3,H2O体积比为1:4:5的抛光液,将钛片浸入抛光液中进行抛光,随后用去离子水洗净,然后用N2吹干。

3.根据权利要求1所述的取向织构的二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于所述的阳极氧化法中所用的电解质是由NH4F、H2O和乙二醇按0.3 : 2 : 97.7的质量比配制而成的,阳极氧化的电压为45-55v,时间为1-3小时。

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