[发明专利]一种量子点敏化太阳电池无效
| 申请号： | 201310426296.9 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103474244A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 邓赞红;方晓东;董伟伟;邵景珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;贾玉忠 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 点敏化 太阳电池 | ||
1.一种量子点敏化太阳电池，包括有两个相对的透光导电基底，其特征在于：一个透光导电基底表面镀有贵金属层或硫化亚铜层作为对电极，另一个透光导电基底表面附有含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层，所述含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层作为光阴极，所述对电极和光阴极位置相对，且对电极和光阴极之间有电解质。
2.一种量子点敏化太阳电池，其特征在于：一个透光导电基底表面附有含量子点敏化的n型氧化物半导体纳米材料层，另一个透光导电基底表面附有含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层，所述含量子点的n型透明导电氧化物半导体纳米材料层作为光阳极，所述含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层作为光阴极，所述光阳极和光阴极位置相对，且光阳极和光阴极之间由电解质；所述透光导电基底、含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层、含量子点的n型透明导电氧化物半导体纳米材料层、电解质构成串联量子点敏化太阳电池。
3.根据权利要求1或2所述的一种量子点敏化太阳电池，其特征在于：所述p型透明导电氧化物半导体纳米材料采用NiO；或者是铜铁矿结构的ABO2，其中A=Cu or Ag，B=Al，Cr，Ga，In，Sc，Y；或者是SrCu2O2。
4.根据权利要求2所述的一种量子点敏化太阳电池，其特征在于：所述n型氧化物半导体纳米材料采用二氧化钛，或者是氧化锌，或者是氧化锡。
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