[发明专利]一种具有非易失性锁存功能的多通道数据缓冲接口芯片有效
| 申请号： | 201310426698.9 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103529727A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 钱正洪;白茹;朱华辰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 非易失性锁存 功能 通道 数据 缓冲 接口 芯片 | ||
【权利要求书】：
1. 一种具有非易失性锁存功能的多通道数据缓冲接口芯片，其特征在于：每一个数据通道由信号输入端、非易失性磁锁存隔离耦合单元和三态门数据输出端组成，其中非易失性磁锁存隔离耦合单元包括磁场信号产生电路和磁敏感存储单元，磁场信号产生电路和磁敏感存储单元由绝缘间隔层电气隔离；
所述的磁敏感存储单元与信号输入端通过磁场进行信号传输；
所述的磁敏感存储单元所存储的数据随着输入信号的变化而改变，当外部掉电时，磁敏感存储单元将会锁存掉电时的数据而不丢失；
所述的磁敏感存储单元的状态数据在信号输出使能端处于有效状态时被输出；
该接口芯片具有非易失性数据锁存和信号隔离耦合双重功能。
2.根据权利要求1所述的多通道数据缓冲接口芯片，其特征在于：磁敏感存储单元为基于各向异性磁阻材料制成的电阻或由电阻组成的电桥。
3.根据权利要求1所述的多通道数据缓冲接口芯片，其特征在于：磁敏感存储单元为基于巨磁电阻材料制成的电阻或由电阻组成的电桥。
4.根据权利要求1所述的多通道数据缓冲接口芯片，其特征在于：磁敏感存储单元为基于磁隧道结材料制成的电阻或由电阻组成的电桥。
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