[发明专利]一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310426847.1 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103466690A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈飞;雷引林;罗云杰;陈珏 | 申请（专利权）人： | 浙江大学宁波理工学院 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;B82Y40/00;C23C18/12 |
| 代理公司： | 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 | 代理人： | 张文忠 |
| 地址： | 315100 浙江省宁波市高教园区钱*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 八面体 结构 in2s3 薄膜 方法 | ||
1.一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：具体步骤如下：
步骤一、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，超声处理后将导电基片烘干；
步骤二、将含铟前驱体、含硫前驱体和有机配体溶于水中制得溶液，所述的有机配体为半胱氨酸和还原谷胱甘肽的混合物；
步骤三、将步骤一中烘干的导电基片置入步骤二中制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗导电基片，制得具有八面体结构的In2S3薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的导电基片为导电玻璃片或导电硅片。
3.根据权利要求2所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的步骤一中超声处理时间为10分钟至15分钟。
4.根据权利要求3所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的步骤三的反应温度为120℃至240℃，反应时间为1h至18h。
5.根据权利要求4所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的含铟前驱体为硝酸铟、乙酸铟或氧化铟。
6.根据权利要求5所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺或升华硫。
7.根据权利要求6所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的含铟前驱体与含硫前驱体的摩尔比为1：1至1：12。
8.根据权利要求7所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的含铟前驱体与有机配体的摩尔比为1：0.1至1：2。
9.根据权利要求8所述的一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：所述的半胱氨酸和还原谷胱甘肽的摩尔比为1：0.1至1：1。
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