[发明专利]一种毫米波高隔离度3dB定向耦合器无效
| 申请号： | 201310428791.3 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103579732A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 罗永伦;许亮;辛振宇;陈龙;吴普超;马晓磊;张运;熊先平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 隔离 db 定向耦合器 | ||
【权利要求书】：
1.一种毫米波高隔离度3dB定向耦合器，其特征在于：包括平行排列的主波导和副波导，所述主波导和副波导在相邻的宽边处连接为一个整体且在连接处设有耦合结构，主波导上的两个端口分别为输入端口、直通端口；副波导上的两个端口分别为耦合端口和隔离端口，所述隔离端口处设有吸波材料。
2.根据权利要求1所述的毫米波高隔离度3dB定向耦合器，其特征在于：所述耦合结构是指在主波导和副波导的连接处削去若干个长方体后剩余的通孔和立方体柱。
3.根据权利要求2所述的所述的毫米波高隔离度3dB定向耦合器，其特征在于：所述耦合结构采用一次性铣切工艺加工而成。
4.根据权利要求2或3所述的所述的毫米波高隔离度3dB定向耦合器，其特征在于：所述耦合结构包括五个立方体柱。
5.根据权利要求1所述的毫米波高隔离度3dB定向耦合器，其特征在于：所述主波导和副波导均为BJ-320波导。
6.根据权利要求1所述的所述的毫米波高隔离度3dB定向耦合器，其特征在于：所述直通端口、耦合端口及隔离端口所在端均为直角结构。
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