[发明专利]一种阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上依次形成屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层、栅绝缘层和显示区域及驱动区域中的NMOS栅极,然后将磷离子注入有源层；

步骤2、在形成有屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层、栅绝缘层和显示区域及驱动区域中的NMOS栅极的基板上形成驱动区域中的PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极在同一层，并同时形成公共电极连接区域中的第一过孔，所述第一过孔用于连接屏蔽层和源漏电极层，然后将硼离子注入有源层；

步骤3、在形成有驱动区域中的PMOS栅极和公共电极连接区域中的第一过孔的基板上形成中间绝缘层，并形成公共电极连接区域中的第二过孔和显示区域及驱动区域中的第三过孔，所述第二过孔与所述第一过孔的位置相同用于连接屏蔽层和源漏电极层，所述第三过孔用于连接有源层和源漏电极层；

步骤4、在形成有中间绝缘层、公共电极连接区域中的第二过孔和显示区域及驱动区域中的第三过孔的基板上形成源漏电极层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1包括：

在基板上依次形成屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层和栅绝缘层；

在形成有屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层和栅绝缘层的基板上沉积栅金属薄膜，在栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光，光刻胶的保留区域对应显示区域及驱动区域中NMOS栅极的图形以及PMOS区域，光刻胶的去除区域对应不需要保留栅金属薄膜的其他区域；

刻蚀掉光刻胶去除区域的栅金属薄膜形成显示区域及驱动区域中的NMOS栅极，并剥离光刻胶保留区域的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：

在形成有屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层、栅绝缘层和显示区域及驱动区域中的NMOS栅极的基板上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光，光刻胶的保留区域对应驱动区域中的NMOS栅极和PMOS栅极的图形、全部显示区域和公共电极连接区域中第一过孔的图形之外的区域，光刻胶的去除区域对应第一过孔的图形以及不需要保留栅金属薄膜的其他区域；

刻蚀掉光刻胶去除区域的栅金属薄膜形成驱动区域中的PMOS栅极，同时刻蚀掉光刻胶去除区域的栅绝缘层和缓冲绝缘层以形成公共电极连接区域中的第一过孔，并剥离光刻胶保留区域的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，刻蚀掉光刻胶去除区域的栅绝缘层和缓冲绝缘层以形成公共电极连接区域中的第一过孔具体包括：

刻蚀掉光刻胶去除区域的全部栅绝缘层和全部缓冲绝缘层，以形成公共电极连接区域中的第一过孔；或

刻蚀掉光刻胶去除区域的全部栅绝缘层和部分缓冲绝缘层，以形成公共电极连接区域中的第一过孔。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：

在形成有驱动区域中的PMOS栅极和公共电极连接区域中的第一过孔的基板上形成中间绝缘层，并在中间绝缘层上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光，光刻胶的去除区域对应第二过孔和第三过孔的图形，光刻胶的保留区域对应不需要去除中间绝缘层的其他区域；

刻蚀掉光刻胶去除区域的中间绝缘层、部分缓冲绝缘层以形成第二过孔，同时刻蚀掉光刻胶去除区域的中间绝缘层和栅绝缘层以形成第三过孔，并剥离光刻胶保留区域的光刻胶。

6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：

在形成有驱动区域中的PMOS栅极和公共电极连接区域中的第一过孔的基板上形成中间绝缘层，并在中间绝缘层上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光，光刻胶的去除区域对应第二过孔和第三过孔的图形，光刻胶的保留区域对应不需要去除中间绝缘层的其他区域；

刻蚀掉光刻胶去除区域的中间绝缘层以形成第二过孔，同时刻蚀掉光刻胶去除区域的中间绝缘层和栅绝缘层以形成第三过孔，并剥离光刻胶保留区域的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的制作液晶面板的方法，其特征在于，对显示区域及驱动区域中的NMOS栅极图形的刻蚀采用湿法刻蚀。

8.根据权利要求6所述的制作液晶面板的方法，其特征在于，对驱动区域PMOS栅极图形及公共电极连接区域中图形的刻蚀采用干法刻蚀。