[发明专利]提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法有效
| 申请号： | 201310432014.6 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103489787A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;贺忻;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 漏接 氮化 薄膜 黏附 方法 | ||
1.一种提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；
第二步骤：通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；
第三步骤：通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而形成镍硅化物，形成低接触电阻的源漏接触和栅极接触；
第四步骤：通过SiH4气体氛围中低温退火，从而对镍硅化物进行表面处理，使得镍硅化物表面硅含量增加；
第五步骤：对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，在第四步骤中，对于SiH4气体氛围中的低温退火，退火时间为20s到120s，退火温度为400到480摄氏度。
3.根据权利要求1或2所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，氮化硅薄膜的应力在-4Gpa到2Gpa之间。
4.根据权利要求1或2所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，氮化硅薄膜与源漏区的镍硅化物直接接触，不引入其它中间缓冲层。
5.根据权利要求1或2所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，第四步骤的具体操作包括如下步骤：
将形成镍硅化物的晶片传输到PECVD工艺腔中；
样品传导到工艺腔后加热预定时间,随后开始流入SiH4气体，优选地，SiH4气体的气体流量在60sccm到600sccm之间；
停止气体流入，并开启抽真空阀将PECVD工艺腔抽真空。
6.根据权利要求5所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，PECVD工艺腔的温度为200摄氏度到480摄氏度之间的某一个恒定温度。
7.根据权利要求5所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，在流入SiH4气体的同时流入He气来增加热传导，优选地，HE气流量为1000sccm到10000sccm。
8.根据权利要求5所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，其特征在于，第五步骤的具体操作包括如下步骤：
向真空的PECVD工艺腔流入SiH4和NH3气体，随后开启射频，开始高应力氮化硅薄膜的等离子体化学汽相淀积；
关闭SiH4和NH3气体以停止气体流入，特定时间之后关闭射频，开启抽真空阀将PECVD工艺腔抽真空，完成高应力氮化硅薄膜的生长。
9.一种金属氧化物半导体制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
