[发明专利]波束成形器、退火系统、热处理法和半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种处理基底的方法，包括：

在能量源产生能量束；

在波束截面成形器接收能量束，波束截面成形器修改能量束的截面形状以输出形状被修改的能量束；

在波束强度成形器接收能量束，接收的能量束具有第一强度轮廓，波束强度成形器输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束，其中，所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度，第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度；以及

将强度被修改的能量束施加到位于载物台的基底，入射到基底的强度被修改的能量束用于处理基底。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：控制将强度被修改的能量束施加到基底的持续时间。

3.如权利要求1所述的方法，其中，基于Si和Mo的相对熔点确定施加强度被修改的能量束的持续时间。

4.如权利要求3所述的方法，其中，施加强度被修改的能量束的持续时间被确定，以选择性地熔化存在于基底中的Si，同时避免熔化存在于基底中的Mo。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底包括光掩模和晶片中的至少一个。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底包括芯片。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底包括光掩模，光掩模被构造和布置为用于极紫外(EUV)光刻处理。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述载物台被构造和布置为容纳包括多层吸收剂类型Mo/Si光掩模的基底，多层吸收剂类型Mo/Si光掩模被构造和布置为用于极紫外(EUV)反射类型光刻处理。

9.如权利要求7所述的方法，其中，入射到基底以用于处理基底的强度被修改的能量束引起基底的目标区域的热处理。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述热处理在目标区域中导致基底被加热至基本上恒定的第一温度。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述第一温度大于熔化基底上的材料所需的温度。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述热处理在目标区域以外的区域中导致基底被加热至小于第一温度的第二温度。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第二温度小于熔化基底上的材料所需的温度。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述能量源包括激光源，能量束是激光束。

15.如权利要求1所述的方法，其中，入射到波束强度成形器的能量束具有强度分布，以使在中心区域的强度大于在边缘区域的强度。

16.如权利要求15所述的方法，其中，入射到波束强度成形器的能量束具有高斯强度分布。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述强度被修改的能量束具有凹强度分布。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述凹强度分布在边缘区域具有第一平均强度并且在中心区域具有第二平均强度，第一强度为第二强度的大约1.3倍至大约15倍。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第二强度足以熔化强度被修改的能量束所入射到的基底上的材料。

20.如权利要求1所述的方法，其中，由波束截面成形器输出的形状被修改的能量束由波束强度成形器接收。