[发明专利]一种电连接结构及其制造方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201310432205.2 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103472615A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 田明;刘家荣;徐利燕 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连接 结构 及其 制造 方法 阵列 | ||
1.一种电连接结构，用于连接阵列基板公共电极总线区域的公共电极总线与显示区域的公共电极线，其特征在于，所述电连接结构位于所述公共电极总线区域的一端从基板侧向上依次包括：栅金属图案、栅绝缘层、半导体层、源漏金属层和保护层，其中，
所述公共电极总线由所述源漏金属层制成，所述保护层在所述栅金属图案的上方形成有开口，所述源漏金属层从所述开口露出，并与周围的所述保护层齐平，所述源漏金属层从所述开口露出的部分通过透明导电薄膜与所述公共电极线连接。
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述栅金属图案和所述保护层的厚度相等。
3.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述栅金属图案和所述保护层的厚度均为3950～4000。
4.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述栅金属图案由Mo、Al、Mo三层金属依次叠置形成或由铜制成。
5.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述源漏金属层由Mo、Al、Mo三层金属依次叠置形成或由铜制成。
6.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述栅绝缘层和/或所述保护层由氮化硅制成。
7.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述显示区域的公共电极线由栅线制成。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的电连接结构。
9.一种电连接结构的制造方法，所述电连接结构用于连接阵列基板公共电极总线区域的公共电极总线与显示区域的公共电极线，其特征在于，所述方法包括：
在基板的公共电极总线区域上形成栅金属图案；
在所述栅金属图案上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源漏金属层；
在所述源漏金属层上方形成保护层；
对所述保护层进行减薄，使所述源漏金属层周围的保护层厚度与所述源漏金属层齐平，以露出部分所述源漏金属层；
形成透明导电薄膜，使得所述源漏金属层从所述开口露出的部分与所述公共电极线连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述保护层进行减薄是采用平坦化工艺。
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