[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括半导体有源层，其特征在于，

所述半导体有源层由类石墨烯半导体制作而成，其中，所述类石墨烯半导体是由替代元素对应的原子取代石墨烯导体中的部分碳原子后的产物；

其中，替代元素为元素周期表的第五主族元素、第六主族元素、第七主族元素和镧系元素包括的各种元素中的至少一种元素。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极、源电极和漏电极三者中至少其中之一由石墨烯导体制作而成。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和所述半导体有源层同层设置。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的多根栅线和数据线中的至少一根由石墨烯导体制作而成。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4或5所述的阵列基板。

7.一种如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括形成半导体有源层的步骤：

控制替代元素对应的原子取代石墨烯导体层的石墨烯导体中的部分碳原子，使石墨烯导体层转换成类石墨烯半导体层；

根据转换成的类石墨烯半导体层，形成半导体有源层；

其中，所述替代元素为元素周期表的第五主族元素、第六主族元素、第七主族元素和镧系元素包括的各种元素中的至少一种元素。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述形成半导体有源层之后，该方法还包括形成源电极和漏电极的步骤，具体为：

在半导体有源层两侧且与半导体有源层相邻的区域形成源漏电极层；

对所述源漏电极层进行图案化处理形成源电极和漏电极。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成半导体有源层的步骤还包括同时形成源电极和漏电极，具体为：

依次形成石墨烯导体层和源漏电极层，并且将覆盖有石墨烯导体层和源漏电极层的区域划分为所述半导体有源层对应的第一区域，所述源电极和漏电极对应的第二区域，以及除第一区域和第二区域以外的第三区域；

通过图案化处理，使第三区域对应的源漏电极层和石墨烯导体层被刻蚀，以及所述第一区域对应的源漏电极层被刻蚀，暴露出所述第一区域对应的石墨烯导体层；

通过图案化处理，使第二区域对应的源漏电极层分别形成源电极和漏电极；

控制替代元素对应的原子取代暴露出的所述第一区域对应的石墨烯导体层的石墨烯导体中的部分碳原子，使所述第一区域对应的石墨烯导体层转换成类石墨烯半导体层，并且将第一区域对应的类石墨烯半导体层，作为形成的半导体有源层。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成半导体有源层的步骤还包括同时形成源电极和漏电极，具体为：

形成石墨烯导体层，并且将覆盖有石墨烯导体层的区域划分为所述半导体有源层对应的第一区域，所述源电极和漏电极对应的第二区域，以及除第一区域和第二区域以外的第三区域；

控制替代元素对应的原子取代所述第一区域的石墨烯导体层的石墨烯导体中的部分碳原子，使所述第一区域的石墨烯导体层转换成类石墨烯半导体层，并且将第一区域的类石墨烯半导体层，作为形成的半导体有源层；

通过图案化处理，使所述第三区域的石墨烯导体层被刻蚀，以及所述第二区域的石墨烯导体层分别形成源电极和漏电极。