[发明专利]光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置有效
| 申请号： | 201310433022.2 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103513348A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 石川;习华丽;梁雪瑞;陈征;江雄 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 芯片 pd 阵列 透镜 耦合 装置 | ||
1.光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，包括波导芯片（101）、PD阵列（102）、热沉（107）、波导垫片（108）、基板（109），波导垫片（108）；热沉（107）位于基板（109）之上，PD阵列（102）位于热沉（107）上，波导垫片（108）上设置有波导芯片（101），其特征在于：所述波导芯片（101）与PD阵列（102）之间的光路中设置有反射棱镜(104)，波导芯片（101）输出光经过反射棱镜(104)反射，由PD阵列（102）接收；且波导芯片（101）与PD阵列（102）之间的光路中设置有汇聚作用的透镜阵列（103）。
2.如权利要求1所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置 ，其特征在于：所述PD阵列（102）两侧设置有透镜支架（106），透镜支架（106）上固定透镜阵列（103），所述透镜阵列（103）通光面中心同PD阵列（102）光敏面中心对应对准；波导芯片(101)上端粘接盖玻片(105)，盖玻片(105)外侧粘贴反射棱镜(104)，反射棱镜(104)的斜面同波导芯片(101)的输出端相对应。
3.如权利要求1或2所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述反射棱镜（104）反射角为40～50度，反射平面上面镀有增反膜。
4.如权利要求3所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述波导芯片(101)的输出端下部衬底设置有挖空区域，该挖空区域的长度为2～4mm，厚度为0.3～0.5mm。
5.如权利要求3所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述透镜支架(106)高度H1等于PD阵列(102)高度H2与光束经过透镜阵列（103）汇聚后透镜阵列（103）下表面到汇聚点的距离L之和。
6.如权利要求1所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述波导芯片(101)上端粘接盖玻片(105)，所述波导芯片（101）的输出端面粘接有透光片(110)，透镜阵列(103)粘接在透光片(110)上，波导芯片(101)与透镜阵列(103)孔径中心一一对应，反射棱镜(104)固定在反射棱镜支架(111)上，反射棱镜支架(111)粘接在PD阵列(102)的旁， PD阵列(102)与反射棱镜(104)的斜面相对应。
7.如权利要求1或6所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述波导芯片(101)设置有4个输出通道，通道之间间距为250um；透镜阵列(104)相应由4个透镜组成，透镜间距为250um。
8.如权利要求6所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述波导芯片(101)的输出端下部衬底设置有挖空区域，该挖空区域的长度为2～4mm，厚度为0.3～0.5mm。
9.如权利要求2所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述波导芯片(101)的输出端面镀有增透膜。
10.如权利要求6所述的光波导芯片和PD阵列透镜耦合装置，其特征在于：所述透光片(110)是玻璃片或者硅片。
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