[发明专利]一种基于人工电磁材料的太赫兹波可调谐光控开关有效
申请号: | 201310433162.X | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103454784A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 史金辉;吕婷婷;朱正;关春颖;王政平 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;H01P1/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 人工 电磁 材料 赫兹 调谐 光控 开关 | ||
1.一种基于人工电磁材料的太赫兹波可调谐光控开关,包括介质层、第一人工电磁材料层和第二人工电磁材料层,其特征是:所述介质层位于两层人工电磁材料层之间,两层人工电磁材料分别位于介质层两侧的表面,每层人工电磁材料层由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成,两层人工电磁材料层的基本单元结构完全相同,但存在非0°和非180°的结构旋转角、形成手性特征,所述人工电磁材料层的基本单元是指人工电磁材料内嵌两段长度不同的半导体弧和空气弧构成的结构。
2.根据权利要求1所述的基于人工电磁材料的太赫兹波可调谐光控开关,其特征是:所述半导体弧和空气弧,是通过刻蚀覆于介质层表面的人工电磁材料层,形成2段圆心角分别为α和β的空气弧,α小于β,在圆心角为α的空气弧中填充半导体材料形成半导体弧状结构,半导体材料的厚度与人工电磁材料层的厚度相同。
3.根据权利要求1或2所述的基于人工电磁材料的太赫兹波可调谐光控开关,其特征是:人工电磁材料层的厚度为百纳米量级。
4.根据权利要求1或2所述的基于人工电磁材料的太赫兹波可调谐光控开关,其特征是:人工电磁材料基本单元的周期为微米量级。
5.根据权利要求3所述的基于人工电磁材料的太赫兹波可调谐光控开关,其特征是:人工电磁材料基本单元的周期为微米量级。
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