[发明专利]一种蟹爪兰的繁殖方法无效

专利信息
申请号: 201310433660.4 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN103461136A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 赵天荣;蔡建岗 申请(专利权)人: 宁波市农业科学研究院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京双收知识产权代理有限公司 11241 代理人: 楼湖斌
地址: 315040 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 蟹爪兰 繁殖 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及组织培养技术领域,特别是涉及一种采用组织培养技术繁殖蟹爪兰的方法。

背景技术

蟹爪兰(Zygocactus truncactus)又称圣诞仙人掌、蟹爪莲或仙指花,为仙人掌科蟹爪兰属多年生常绿小灌木肉质植物,常生长在半阴、湿润的环境中,具有扁平的变态茎,分枝极多,节间短、状如蟹爪。蟹爪兰花色艳丽,花期正值圣诞节至春节期间,深受人们喜爱。

蟹爪兰的繁殖方式主要是扦插繁殖,嫁接繁殖,也可采用播种繁殖。扦插繁殖适用于规模化生产中应用;嫁接繁殖工序较多,适用于小批量生产,制作造型和大型盆栽以及引种繁殖和抢救品种;播种繁殖主要应用于蟹爪兰杂交育种中的新品种选育。以上方式可以满足生产需求,但是对于蟹爪兰杂交育种中选育出的优良新品种,如果要进行大面积推广,扦插繁殖的年繁殖系数4,如仅依靠传统的繁殖使已选育出的新品种面市至少需要6-8年才可有一定规模,另外一个品种扦插繁殖多代还会出现退化的现象。因此研究蟹爪兰快速繁殖的技术和方法,加速蟹爪兰新品种的推广,具有重要的理论和现实意义。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种简便的快速大量繁殖蟹爪兰的方法。

一种蟹爪兰的繁殖方法,包括如下步骤:

(1)选取蟹爪兰的茎节作为外植体并消毒;

(2)将消毒后的外植体接种到芽诱导培养基上,送入培养室进行芽诱导培养;

(3)将分化后的外植体转移到继代培养基中进行继代培养;

(4)选取健壮的分化苗接种到生根培养基上进行生根培养;

(5)炼苗并移栽,得到成品。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述外植体为蟹爪兰的幼嫩茎节。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述外植体的消毒方法为:将采集到的外植体先混合洗洁精在流水下冲洗30min,在超净工作台上用75%的酒精消毒10-30s,在用无菌水冲洗3-5遍,之后用0.1%升汞消毒10min。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述芽诱导培养基为MS+6-BA2.0mg·L-1+NAA0.1mg·L-1

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中,接种时将整个消毒后的茎节直接接入芽诱导培养基中,其基部先长出3-5条根,根与茎节连接处分化愈伤组织,从愈伤组织中分化出幼嫩茎节,当幼嫩茎节长至2-3个茎节时,进行继代培养。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中,接种时将整个消毒后的茎节直接接入芽诱导培养基中,从所述茎节顶端长出幼嫩茎节,当长出2-3个所述幼嫩茎节时选用所述幼嫩茎节进行继代培养。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中,接种时将整个消毒后的茎节直接接入芽诱导培养基中,其基部先长出3-5条根,根与茎节连接处分化愈伤组织,将所述愈伤组织转移到成分一致的新的芽诱导培养基中,分化出幼嫩茎节,当长出2-3个所述幼嫩茎节时进行继代培养。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述继代培养基为MS+6-BA1.0mg·L-1+NAA0.1mg·L-1

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述生根培养基为1/2MS+NAA0.1mg·L-1

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述步骤(5)具体为:把生根后的组培苗在炼苗室中开盖锻炼3-5d,然后移栽到泥炭:珍珠岩3:1的基质中,得到成品。

本发明所述的蟹爪兰的繁殖方法,其中所述培养室的培养温度为25℃,光照时间为12h·d-1,光照强度约25-30μmol·m-2·s-1

所述芽诱导培养基、增殖培养基和生根培养基中均添加3%质量百分比的蔗糖和0.8%质量百分比的琼脂,PH为5.8。

本发明蟹爪兰的繁殖方法与现有技术不同之处在于:

本发明采用组织培养的方法,通过消毒外植体,得到无菌系,继而利用不同种类和不同浓度的外源激素的配比,对组培苗进行继代增殖、生长及生根进行筛选、调控、最后确定最佳外植体与培养基的配比,使其能应用于工厂化生产。创新点在于本发明的组培配方是将自主选育的蟹爪兰新品种进行大量扩繁的最佳组合,可以快速大量的繁殖组培苗,以适应花卉市场的需要,尚属国内首例。

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