[发明专利]电容型绝压传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容型绝压传感器，它包括有玻璃—硅复合极板和硅可动极板，其特征是：在硅可动极板下固定一个玻璃-硅复合极板，所述硅可动极板是在两面抛光的硅片层两侧的中心岛部分固定有氧化硅层，硅片层一端的侧面固定有金属导电层，该硅片层的厚度为380~420微米；所述玻璃—硅复合极板是玻璃层固定在单晶硅材料层上方，玻璃层中心位置带有通孔，与玻璃层上的通孔对应的硅片上固定有金属层，在该金属层上方固定有电极层；在所述单晶硅材料层上的一端同样固定有金属导电层。

2.根据权利要求1所述的电容型绝压传感器，其特征是：所述金属层是密度与硅相近的纯铝层。

3.根据权利要求1所述的电容型绝压传感器，其特征是：所述玻璃层的厚度为200~800微米。

4.一种电容型绝压传感器的制造方法，它包括：玻璃-硅复合极板和硅可动极板，其特征是：玻璃-硅复合极板制造方法为：

首先对单晶硅材料进行热氧化，然后对热氧化后的单晶硅材料进行光刻，形成带有开孔的氧化屏蔽膜，再进行对单晶硅材料整体进行各项异性腐蚀，腐蚀厚度5微米，去掉氧化屏蔽膜，并在开孔位置腐蚀出电极槽，在单晶硅材料带有电极槽的一侧溅射金属层，对金属层光刻去除多余金属并合金，制成电极；在玻璃层相对于单晶硅材料的电极位置制出通孔，将通孔与电极同心定位并固定后，对单晶硅材料和玻璃层进行静电封接；在封接后的玻璃—硅极板上玻璃层表面溅射金属层，最后进行光刻，保留通孔处由金属形成的电极层及电极槽内的金属层；

硅可动极板的制造方法为：对厚度为380~420微米的双面抛光硅片层进行热氧化，对氧化后的硅片层进行光刻、去胶，光刻时保留中心岛处的氧化膜，对于硅片层进行各项异性腐蚀，在中心岛边缘腐蚀出凹陷，形成电容间隙，再次对硅片层进行热氧化并光刻，依旧保留中心岛处的氧化膜，再次进行各项异性腐蚀，消除硅片层两端的氧化层；对硅片一端的上表面进行局部金属溅射，并对溅射后产生的金属层进行光刻，制出电极；

最后，对玻璃—硅复合极板和硅可动极板进行静电封接并进行划片制出成品，封接时硅可动极板接封接设备的正电极，玻璃—硅复合极板的玻璃层接负电极，封接电压500～1200V 。

5.根据权利要求4所述的电容型绝压传感器，其特征是：所述金属层是密度与硅片相近的纯铝层。

6.根据权利要求4所述的电容型绝压传感器，其特征是：所述玻璃层的厚度为200~800微米。