[发明专利]形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法和半导体结构

权利要求书

1.一种形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法，所述方法包括：

提供单晶半导体衬底，所述单晶半导体衬底具有形成在该单晶半导体衬底的暴露表面上的至少逻辑和存储器件；

在其上形成有所述至少逻辑和存储器件的所述单晶半导体衬底的所述暴露表面上形成表面保护层；

在所述表面保护层上方形成应力源层；

剥落所述单晶半导体衬底，以提供剥落的单晶半导体层，所述剥落的单晶半导体层具有位于其表面上的所述至少逻辑和存储器件；

将衬底形成在所述剥落的单晶半导体层的与具有位于其上的所述至少逻辑和存储器件的表面相反的表面上；以及

在所述剥落的单晶半导体层上并且与所述至少逻辑和存储器件相邻地形成有机发光二极管（OLED）显示器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶半导体衬底还包括位于所述单晶半导体衬底的所述暴露表面上并且与所述至少逻辑和存储器件相邻的OLED驱动电路，其中所述OLED驱动电路在形成所述表面保护层之前形成。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述形成所述OLED显示器之前在所述剥落的单晶半导体层的一部分上形成OLED驱动电路。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述表面保护层包括：选择Ti/W、Ti、Cr或Ni中的一者作为表面保护材料；以及沉积所述表面保护材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶半导体衬底的断裂韧度低于所述应力源层的断裂韧度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述应力源层包括金属、聚合物或它们的任何组合。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述应力源层至少包括所述聚合物，并且所述聚合物是剥落引发带层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述应力源层包括所述金属，并且所述金属是镍。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在室温下进行所述剥落。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在低于室温的温度下进行所述剥落。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括在剥落之前在所述应力源层顶上形成处理衬底。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述衬底之后去除所述应力源层。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述衬底之前去除所述应力源层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是玻璃或塑料，并且通过接合而被形成在所述剥落的单晶半导体层的与具有位于其上的所述至少逻辑和存储器件的表面相反的表面上。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述OLED显示器形成在OLED驱动电路上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述形成所述OLED显示器包括形成底部发射OLED器件阵列，其中所述底部发射OLED器件阵列的每个底部发射OLED器件包括底部透明电极、有机电致发光材料和顶部电极。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述形成所述底部发射器件阵列包括：蚀刻位于相邻OLED驱动电路之间的所述剥落的单晶半导体层的暴露部分；以及形成所述底部透明电极，其中所述底部透明电极的一部分与位于所述剥落的单晶半导体层下方的衬底的最上表面直接接触。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述形成所述OLED显示器包括形成顶部发射OLED器件阵列，其中所述顶部发射OLED器件阵列的每个顶部发射OLED器件包括底部电极、有机电致发光材料和顶部透明电极。

19.一种半导体结构，包括：

单晶半导体层，所述单晶半导体层具有位于该单晶半导体层的一部分上的有机发光二极管（OLED）显示器以及位于该单晶半导体层的另一部分上的CMOS逻辑和存储器件，所述OLED显示器具有下伏的OLED驱动电路。

20.根据权利要求19所述的半导体结构，其中所述单晶半导体层包括选自Si、Ge、SiGe、SiGeC、SiC、Ge合金、GaSb、GaP、GaAs、InAs和InP的半导体材料。