[发明专利]金属互连层的形成方法有效
| 申请号： | 201310438334.2 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465491B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 王平;陈志刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 形成 方法 | ||
1.一种金属互连层的形成方法，包括：
在铜金属互连层的表面依次沉积第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层NDC，将所述第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层作为刻蚀终止层；所述刻蚀终止层的厚度为300～1500埃；其中，第一氮化硅层和掺氮的碳化硅层的厚度比为1：24；
在所述掺氮的碳化硅层表面沉积钝化层；
图案化刻蚀所述钝化层和刻蚀终止层，用于在所述图案化之后的位置沉积形成与所述铜金属互连层电性连接的焊盘或者上层铜金属互连层；
其中，形成第一氮化硅层时采用硅烷、氨气和氮气，反应腔内的压力为3.9～4.5毫托；源功率为100～150瓦；时间为1.5～2.5秒；所述硅烷流量为200～300标准立方厘米每分钟；所述硅烷与氨气的流量比为0.4：1；所述氮气的流量为15000～20000标准立方厘米每分钟。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在铜金属互连层的表面沉积第一氮化硅层之前进一步包括预热的步骤；
所述预热方法包括：在预定压力和温度下，在反应腔内通入氦气和氢气预定时间。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积第一氮化硅层之后进一步包括：对第一氮化硅层表面进行化学预处理的步骤；
所述对第一氮化硅层表面进行化学预处理的方法包括：在预定压力和源功率下，在反应腔内通入氨气和氮气预定时间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为叠层钝化层；
形成叠层钝化层的方法进一步包括：
在所述掺氮的碳化硅层表面沉积第一氧化硅层，厚度为2000～8000埃；
在所述第一氧化硅层表面沉积第二氮化硅层，厚度为300～1500埃；
在所述第二氮化硅层表面沉积第二氧化硅层，厚度为1000～6000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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