[发明专利]一种发光二极管的PN结及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光二极管的PN结方法，其特征在于，包括：

获取基底材料；

在所述基底材料上形成硅掺杂氮化物层；

在所述硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层，其中所述镁掺杂金属氮化物层中金属组分含量从靠近所述硅掺杂氮化物层的部分到远离所述硅掺杂氮化物层的部分从零开始线性增加。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底材料包括蓝宝石、碳化硅或者金刚石。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底材料上形成硅掺杂氮化物层的步骤包括：使用金属有机化学气相沉积法或者分子束外延生长法在所述基底材料上形成硅掺杂氮化物层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅掺杂氮化物层为半绝缘氮面极化[0001]晶向。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层的步骤包括：

将形成了所述硅掺杂氮化物层的所述基底材料放置于分子束外延生长仪中；

向所述分子束外延生长仪中通入金属分子束、氮等离子体和镁分子束，使所述金属分子束的流量从零开始线性增加，并且使所述镁分子束的流量保持不变。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的方法，其特征在于：所述硅掺杂氮化物层为硅掺杂氮化镓层。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的方法，其特征在于：所述镁掺杂金属氮化物层为镁掺杂铝镓氮层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层的步骤包括：

将形成了所述硅掺杂氮化物层的所述基底材料放置于分子束外延生长仪中；

向所述分子束外延生长仪中通入铝分子束、镓分子束、氮等离子体和镁分子束，使所述铝分子束的流量从零开始线性增加，并且使所述镁分子束的流量保持不变。

9.一种发光二极管的PN结，其特征在于，包括：

基底材料；

硅掺杂氮化物层，所述硅掺杂氮化物层形成在所述基底材料上；

镁掺杂金属氮化物层，所述镁掺杂金属氮化物层形成在在所述硅掺杂氮化物层上，其中所述镁掺杂金属氮化物层中金属组分含量从靠近所述硅掺杂氮化物层的部分到远离所述硅掺杂氮化物层的部分从零开始线性增加。

10.一种发光二极管的PN结，其特征在于，包括：

基底材料；

硅掺杂氮化镓层，所述硅掺杂氮化镓层形成在所述基底材料上；

镁掺杂铝镓氮层，所述镁掺杂铝镓氮层形成在所述硅掺杂氮化镓层上，其中所述镁掺杂铝镓氮层中铝组分含量从靠近所述硅掺杂氮化镓层的部分到远离所述硅掺杂氮化镓的部分从零开始线性增加。