[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

有源层，用于发射光；以及

透光层，设置于所述有源层上，所述透光层具有面对所述有源层的下部，

其中所述透光层的侧部和上部具有经表面处理的图案部分；

所述经表面处理的图案部分仅设置在全内反射区，所述全内反射区被如下限定：

其中‘y’代表所述透光层在厚度方向上的位置，‘x’代表所述透光层在宽度方向上的位置，‘a’代表所述有源层的宽度，b₁代表所述透光层的下表面的宽度，θ_TIR代表所述透光层的全内反射角，以及h代表所述透光层的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述有源层发射具有200nm至405nm的波长带的光。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中所述图案部分经过表面处理，以提供随机粗糙度。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述表面处理包括研磨、抛光、激光划片、湿法蚀刻和干法蚀刻中的至少一种，

其中，当所述表面处理包括研磨和抛光中的至少一种时，所述随机粗糙度的粗糙度水平与抛光颗粒尺寸成比例。

5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中所述图案部分被表面处理，使得所述透光层的上表面和下表面具有彼此不同的面积。

6.根据权利要求5所述的发光装置，其中所述透光层包括：

下切割部分，具有与所述下表面相同形状的水平剖面；和

上切割部分，设置于所述下切割部分上，且具有在下切割部分的上表面与所述透光层的上表面之间的多个不同的水平剖面。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述上切割部分的侧部具有至少一个斜平面。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其中所述斜平面的表面具有粗糙度，或所述斜平面具有外侧的凹曲率或凸曲率。

9.根据权利要求7所述的发光装置，其中下面的关系存在于所述透光层的下表面的宽度和上表面的宽度之间，

b₁-b₂＝2d tanθ₁

其中b₁代表所述下表面的宽度，b₂代表所述上表面的宽度，‘d’代表所述上切割部分的厚度，以及θ₁代表所述斜平面的倾角。

10.根据权利要求7所述的发光装置，其中所述透光层具有50μm至250μm的宽度，所述下切割部分具有25μm至100μm的厚度，以及所述斜平面具有30°至40°的倾角。

11.根据权利要求7所述的发光装置，其中所述上切割部分具有截头的金字塔形状，所述上切割部分具有在其边缘处的至少一个突起，或所述上切割部分具有截头的倒金字塔形。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述透光层的上部具有作为图案部分的均匀凹凸。

13.根据权利要求1或2所述的发光装置，进一步包括：

衬底；

第一导电型半导体层，设置于所述衬底与所述有源层之间；以及

第二导电型半导体层，设置于所述有源层上，

其中所述透光层包括所述第二导电型半导体层。

14.根据权利要求13所述的发光装置，进一步包括设置于所述第二导电型半导体层上的第二导电型电极层，

其中所述透光层进一步包括所述第二导电型电极层。