[发明专利]检测结构及检测方法

权利要求书

1.一种检测方法，其特征在于，包括：

提供检测结构，所述检测结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的待检测单元，与所述待检测单元相邻设置的测试MOS晶体管；

将所述检测结构放置在具有加热功能的承片台表面，所述待检测单元不工作，利用承片台调节待检测结构的温度，从而获得测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值与温度之间的对应关系；

对所述待检测单元施加测试电压，测得测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值，从而根据测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值与温度之间的对应关系获得当前待检测单元的温度；

测量所述测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值的方法包括：所述测试MOS晶体管的源区和漏区电学连接后与直流电源的一端相连接，且所述直流电源的另一端通过一个电流表与半导体衬底相连接，在所述测试MOS晶体管的栅电极施加电压脉冲信号，所述电压脉冲信号横跨测试MOS晶体管的阈值电压和平带电压，且所述电压脉冲信号的上升时间、下降时间均小于界面缺陷发射的时间常数，利用所述电流表测得电荷泵电流；且通过调整半导体衬底与源区、漏区之间的偏压，获得电荷泵电流的最大值，其中，所述电压脉冲信号横跨测试MOS晶体管的阈值电压和平带电压为：所述电压脉冲信号的至少部分高电平大于所述MOS晶体管的阈值电压，所述电压脉冲信号的至少部分低电平小于平带电压。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述电压脉冲信号的每一个脉冲的高电平相等且大于测试MOS晶体管的阈值电压，所述电压脉冲信号的每一个脉冲的低电平相等且小于测试MOS晶体管的平带电压。

3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，对所述待检测单元施加测试电压测量对应的测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值时，所述承片台的加热功能关闭。

4.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，利用开尔文四端测试法对待检测单元施加测试电压的电学性能进行测试。

5.如权利要求4所述的检测方法，其特征在于，利用开尔文四端测试法对待检测单元施加测试电压的电迁移特性进行测试。

6.一种检测结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于半导体衬底表面的待检测单元，与所述待检测单元相邻设置的测试MOS晶体管，通过测量所述测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值，获得所述待检测单元的温度；

测量所述测试MOS晶体管的电荷泵电流的最大值的方法包括：所述测试MOS晶体管的源区和漏区电学连接后与直流电源的一端相连接，且所述直流电源的另一端通过一个电流表与半导体衬底相连接，在所述测试MOS晶体管的栅电极施加电压脉冲信号，所述电压脉冲信号横跨测试MOS晶体管的阈值电压和平带电压，且所述电压脉冲信号的上升时间、下降时间均小于界面缺陷发射的时间常数，利用所述电流表测得电荷泵电流；且通过调整半导体衬底与源区、漏区之间的偏压，获得电荷泵电流的最大值，其中，所述电压脉冲信号横跨测试MOS晶体管的阈值电压和平带电压为：所述电压脉冲信号的至少部分高电平大于所述MOS晶体管的阈值电压，所述电压脉冲信号的至少部分低电平小于平带电压。

7.如权利要求6所述的检测结构，其特征在于，所述待检测单元为电阻或位于核心器件区的MOS晶体管。

8.如权利要求7所述的检测结构，其特征在于，当所述待检测单元为电阻时，所述电阻的两端分别具有利用开尔文四端测试法进行测试的两个测试端。

9.如权利要求7所述的检测结构，其特征在于，当所述待检测单元为电阻时，所述待检测单元的材料为多晶硅、氮化钽或氮化钛。

10.如权利要求6所述的检测结构，其特征在于，所述测试MOS晶体管位于待检测单元的两侧或围绕待检测单元设置。

11.如权利要求6所述的检测结构，其特征在于，当所述测试MOS晶体管的数量为两个时，所述两个测试MOS晶体管分别位于待检测单元的两侧，且所述两个测试MOS晶体管的栅电极电学连接，所述两个测试MOS晶体管的源区电学连接，所述两个测试MOS晶体管的漏区电学连接。

12.如权利要求6所述的检测结构，其特征在于，所述测试MOS晶体管为输入/输出器件区的MOS晶体管。