[发明专利]蚀刻溶液，用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液，其中所述压电薄膜具有在形成于衬底上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜以及在所述压电薄膜与所述下部电极的界面上的烧绿石层，所述蚀刻溶液至少包含：

包含缓冲氢氟酸、氟化氢以及稀释的氢氟酸这三个中至少任一个的氢氟酸型化学制品；以及

硝酸，且

其中盐酸的浓度按重量计小于10%，并且所述盐酸与所述硝酸的重量比为1/4或更小。

2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其特征在于所述下部电极的表面粗糙度Ra为2nm或更小。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其特征在于所述烧绿石层的厚度为5nm或更大。

4.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，进一步包含乙酸。

5.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，进一步包含硫酸。

6.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其特征在于所述下部电极为包括钌、铑、钯、锇、铱或铂的铂族金属或其金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的蚀刻溶液，其特征在于所述下部电极为铱或氧化铱。

8.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其特征在于所述压电薄膜包含Pb。

9.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其特征在于所述压电薄膜包含Pb和3at%或更多以及30at%或更少的Nb。

10.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其特征在于所述压电薄膜通过气相生长方法形成。

11.一种用于制造压电元件的方法，包含：

下部电极形成步骤，在衬底上形成下部电极；

压电薄膜形成步骤，通过气相生长方法在所述下部电极上形成压电薄膜；

蚀刻步骤，利用根据权利要求1到10中任一项所述的蚀刻溶液蚀刻所述压电薄膜；以及

上部电极形成步骤，在所述蚀刻步骤之后在所述压电薄膜上形成上部电极。

12.一种用于蚀刻在电极上形成且在与所述电极的界面上具有烧绿石层的压电薄膜的蚀刻方法，其中所述电极的表面粗糙度Ra为2nm或更小，其特征在于所述蚀刻溶液至少包含氢氟酸型化学制品，所述氢氟酸型化学制品包含缓冲氢氟酸、氟化氢以及稀释的氢氟酸这三个中的至少任一个；以及硝酸，并且具有按重量计小于10%的盐酸浓度，以及为1/4或更小的所述盐酸与所述硝酸的重量比。