[发明专利]一种带选通功能的低功耗除二分频器有效
申请号: | 201310439516.1 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103532544A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 樊晓华 | 申请(专利权)人: | 南京中科微电子有限公司 |
主分类号: | H03K21/00 | 分类号: | H03K21/00 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 210046 江苏省南京市玄武区玄武大*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带选通 功能 功耗 分频器 | ||
1.一种带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,包括正交本振信号输出端、时钟信号选通控制端以及两对时钟信号输入端;所述分频器对所述时钟信号输入端输入的两个时钟信号进行选通后进行二分频并通过所述正交本振信号输出端输出正交本振信号。
2.根据权利要求1所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述分频器包括两个D锁存器,其中一个主D锁存器与一个从D锁存器;所述主D锁存器与所述从D锁存器的信号输入端电连接作为所述分频器的时钟信号输入端接收时钟信号,所述主D锁存器与所述从D锁存器的输出端输出正交本振信号。
3.根据权利要求2所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述两个D锁存器中每个D锁存器包括一对差分数据输入端D和DN、时钟信号选通控制端S、一对差分输出端Q和QN、以及两对差分时钟信号输入端CKA_P、CKA_N、CKB_P及CKB_N。
4.根据权利要求3所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述主D锁存器的时钟信号选通控制端与所述从D锁存器的时钟信号选通控制端电连接作为所述分频器的时钟信号选通控制端;所述主D锁存器的两对差分时钟信号输入端与所述从D锁存器的两对差分时钟信号输入端反接组成所述分频器的两对时钟信号输入端;所述主D锁存器差分输出端正接所述从D锁存器差分数据输入端,所述从D锁存器差分输出端反接所述主D锁存器差分数据输入端;所述分频器包括四个正交本振信号输出端IP、IN、QP及QN,所述主D锁存器与所述从D锁存器的差分输出端组成所述分频器的四个正交本振信号输出端IP、IN、QP及QN。
5.根据权利要求3所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述两个D锁存器中每个D锁存器包括负载电阻、由场效应管M1和场效应管M2构成的数据输入对管、由场效应管M3和场效应管M4构成的正反馈对管,以及由场效应管M5、场效应管M6、场效应管M7和场效应管M8构成的时钟输入对管,由反相器组成的选通控制逻辑和尾电流管M9。
6.根据权利要求5所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述场效应管M1的漏极与所述场效应管M2的漏极分别通过负载电阻电连接电源AVDD,所述场效应管M1的栅极作为所述D锁存器的差分数据输入端D,所述场效应管M2的栅极作为所述D锁存器的差分数据输入端DN,所述场效应管M1的源极与所述场效应管M1的源极短接后电连接所述场效应管M5与所述场效应管M6的漏极;所述场效应管M3的栅极电连接所述场效应管M4的漏极,所述场效应管M3的漏极电相接所述场效应管M4的栅极,所述场效应管M3的漏极电连接所述场效应管M1的漏极并作为所述D锁存器的差分输出端Q,所述场效应管M4的漏极电连接所述场效应管M2的漏极并作为所述D锁存器的差分输出端QN,所述场效应管M3的源极与所述场效应管M3的源极短接后电连接所述场效应管M7与所述场效应管M8的漏极;所述差分时钟信号输入端CKA_P经过电容C0隔直耦合后电连接所述场效应管M5的栅极,所述差分时钟信号输入端CKB_N经过电容C3隔直耦合后电连接所述场效应管M6的栅极,所述差分时钟信号输入端CKA_N经过电容C1隔直耦合后电连接所述场效应管M7的栅极,所述差分时钟信号输入端CKB_P经过电容C2隔直耦合后电连接所述场效应管M8的栅极;尾电流管M9源极接地,栅极接电流偏置电压Bias;时钟选通控制端S经过反相器后输出差分控制信号SP和SN,所述SP差分控制信号经过偏置电阻R4、偏置电阻R5后分别输入给所述场效应管M5的栅极和所述场效应管M7的栅极,所述差分控制信号SN经过偏置电阻R6和R7后分别输入给所述场效应管M6的栅极和所述场效应管M8的栅极。
7.根据权利要求6所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述负载电阻为无源电阻,所述负载电阻包括电阻R0和电阻R1。
8.根据权利要求6所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述负载电阻为有源电阻。
9.根据权利要求8所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述负载电阻包括工作在线性电阻区的场效应管M19和场效应管M20,所述场效应管M19的源极与所述场效应管M20的源极连接电源AVDD,所述场效应管M19的栅极与所述场效应管M20的栅极接地,所述场效应管M19的漏极电连接所述场效应管M1漏极,所述场效应管M20的漏极电连接所述场效应管M2漏极。
10.根据权利要求9所述的带选通功能的低功耗除二分频器,其特征在于,所述负载电阻还包括场效应管M23和场效应管M24,所述场效应管M23源极与漏极跨接在所述场效应管M19和场效应管M20之间,所述场效应管M24源极与漏极跨接在所述场效应管M19和场效应管M20之间,所述场效应管M23的栅极电连接所述场效应管M7的栅极,所述场效应管M24的栅极电连接所述场效应管M8的栅极。
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