[发明专利]MEMS器件形成方法有效

专利信息
申请号: 201310439622.X 申请日: 2013-09-24
公开(公告)号: CN104445049A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 谢红梅;许继辉;于佳;汪新学;赵洪波 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: mems 器件 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS器件形成方法,其特征在于,包括:

提供第一基底,所述第一基底内具有开口;

在所述第一基底表面贴合第二基底;

在贴合后的第二基底表面形成非晶碳的第一掩膜层;

在所述第一掩膜层表面形成光刻胶图案层;

以光刻胶图案层为掩膜,刻蚀所述第一掩膜层,直至暴露出第二基底;

去除光刻胶图案层;

以刻蚀后的第一掩膜层为掩膜,刻蚀第二基底直至贯穿所述第二基底。

2.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第一掩膜层。

3.如权利要求2所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,所述第一掩膜层的形成工艺参数为:沉积温度为100-600度,沉积气体为C3H6、C2H4或C2H2中一种或多种混合气体。

4.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,采用化学气相沉积形成所述第一掩膜层。

5.如权利要求4所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,采用氮气作为增强气体。

6.如权利要求5所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,所述第一掩膜层的沉积温度为150度至500度,沉积气体为C2H2与He的混合气体,在反应过程中通入氮气作为增强气体,其中,C2H2的流量为3000-5000每分钟标准毫升,He的流量为5000-10000每分钟标准毫升,氮气的流量为500-1500每分钟标准毫升。

7.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,所述光刻胶的成分为烯类单体或聚乙烯醇月桂酸酯。

8.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一掩膜层。

9.如权利要求8所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一掩膜层工艺参数为:刻蚀设备腔体压力为60-150毫托,顶部射频功率为500-1200瓦,底部射频功率为50-150瓦,刻蚀气体为Ar或O2,刻蚀气体流量为50-300每分钟标准毫升。

10.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,采用湿法去除工艺去除光刻胶图案层。

11.如权利要求10所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,所述湿法去除工艺参数为:去除溶液为碱性溶剂,去除时间为30-60min。

12.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,采用等离子体刻蚀工艺刻蚀第二基底。

13.如权利要求12所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,所述等离子体刻蚀工艺参数为:刻蚀设备腔体压强为30-60毫托,顶部射频功率为1800-2500瓦,底部射频功率为20-150瓦,刻蚀气体为SF6、或C4F8,刻蚀气体流量为1-500每分钟标准毫升。

14.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,还包括:去除所述刻蚀后的第一掩膜层。

15.如权利要求1所述的MEMS器件形成方法,其特征在于,去除所述刻蚀后的第一掩膜层工艺参数为:灰化设备腔体压强为1000-2000毫托,射频功率为1000-2000瓦,灰化气体为O2或CF4,其中,O2流量为1000-1200每分钟标准毫升,CF4流量为4-6每分钟标准毫升。

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