[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

（a）制备其中具有布置成矩阵的多个第一区域的第一引线框，所述第一区域包括第一芯片安装部分和第一引线，

（b）经由第一导电粘合剂将第一半导体芯片安装在所述第一芯片安装部分的上表面之上，

（c）经由第二导电粘合剂将第一金属板安装到所述第一半导体芯片的第一电极焊盘以及安装到所述第一引线，

（d）在第一温度加热所述第一导电粘合剂和所述第二导电粘合剂，

（e）在步骤（d）之后，将带施加于所述第一引线框的与其上安装有所述第一半导体芯片的面相对的面，以及

（f）在步骤（e）之后，通过集体地密封在所述第一引线框中的多个所述第一区域来形成密封体以便覆盖所述第一半导体芯片，

其中步骤（e）在支撑所述第一金属板的同时将所述带施加于所述第一引线框。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一引线框的所述第一区域包括第二芯片安装部分，并且

其中步骤（b）包括经由所述第一导电粘合剂将第二半导体芯片安装在所述第二芯片安装部分的上表面之上的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中步骤（e）在经由缓冲材料来支撑所述第二半导体芯片的同时将所述带施加于所述第一引线框。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，还包括步骤：

在步骤（e）之后且在步骤（f）之前，通过金属导线使所述第一半导体芯片的第二电极焊盘与所述第二半导体芯片的电极焊盘彼此电耦接。

5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中步骤（e）经由所述缓冲材料来支撑所述第一金属板。

6.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中所述缓冲材料的纵向弹性模量低于所述第二半导体芯片的纵向弹性模量。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中步骤（c）通过使其中多个第一金属板被布置成矩阵的第二引线框与所述第一引线框的其上安装有所述第一半导体芯片的表面重叠来执行。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述第二引线框的多个第一金属板的第一方向上和在垂直于所述第一方向的第二方向上的布局间距与在所述第一引线框的所述第一芯片安装部分的所述第一方向和所述第二方向上的布局间距是相同的。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

（g）在步骤（f）之后，将所述带从所述第一引线框剥离，以及

（h）在步骤（g）之后，通过以切割刀片切割在所述第一引线框中的多个第一区域中的每个第一区域之间的区域来单体化。

10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一温度高于所述带的耐热温度。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一导电粘合剂和所述第二导电粘合剂是焊料。

12.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一半导体芯片包括场效应晶体管，

其中所述第一半导体芯片包括上表面以及与所述上表面相对的后表面，在所述上表面中布置有所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘，

其中所述第二半导体芯片包括控制所述场效应晶体管的控制电路，

其中所述第一半导体芯片的所述第一电极焊盘是源极电极焊盘，

其中所述第一半导体芯片的所述第二电极焊盘是栅极电极焊盘，并且

其中所述漏极电极被形成于所述第一半导体芯片的所述后表面上。

13.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中步骤（e）在所述第二半导体芯片没有被支撑的情况下执行。