[发明专利]一种碳化硅SBD器件无效
| 申请号： | 201310441377.6 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103474478A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;袁昊;宋庆文;汤晓燕;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 sbd 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅SBD器件，其特征在于，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离区、终端区、N-外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述终端区位于N-外延层上表面与肖特基接触区边缘处相连接，所述终端区在肖特基接触区边缘连续的一圈，所述终端区呈槽型结构，所述肖特基接触区金属边缘处下表面与终端区的连接端设有与槽型结构相配合的凹槽。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅SBD器件，其特征在于，所述终端区在三维结构下为在肖特基接触区边缘的一圈长方体沟槽。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅SBD器件，其特征在于，所述终端区在肖特基接触区边缘连续的一圈，所述终端区呈阶梯型结构，所述肖特基接触区边缘处下表面与终端区的连接端设有与阶梯型结构相配合的凹槽。
4.如权利要求1或3所述的一种碳化硅SBD器件，其特征在于，所述N-外延层的顶面和底面之间的厚度为20μm，其氮离子掺杂浓度为1×1015～1×1016cm-3。
5.如权利要求4所述的一种碳化硅SBD器件，其特征在于，所述终端区厚度为2μm，宽度为10μm。
6.如权利要求5所述的一种碳化硅SBD器件，其特征在于，所述终端区内边缘与肖特基接触区之间的距离为2μm。
7.如权利要求6所述的一种碳化硅SBD器件，其特征在于，所述肖特基接触区金属边缘位于终端区内部的介质层上。
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