[发明专利]微波法一步合成硫化铜锌锡量子点的方法有效
申请号: | 201310441699.0 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103474512A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 张卉;陈竹;蔡称心;吴萍 | 申请(专利权)人: | 南京师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 韩朝晖 |
地址: | 210097 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 一步 合成 硫化铜 量子 方法 | ||
1.一种微波法一步合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于,将SnII盐溶解在稳定剂的水溶液中,防止SnII盐的水解;然后再加入CuII和ZnII盐并溶解,加入巯基化合物,调节混合溶液的pH值,再加入硫源水溶液,搅拌均匀后在微波作用下水热反应;反应结束后,将反应产物冷却、洗涤、干燥即可得到硫化铜锌锡量子点。
2.根据权利要求1所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤:
步骤1. 将SnII盐溶解在稳定剂的水溶液中,其中稳定剂含量为0.16 ~ 0.64 mmol/L,SnII盐的浓度为1 ~ 4 mmol/L;
步骤2. 在上述溶液中加入CuII和ZnII盐,其浓度分别为2 ~8 mmol/L和1 ~ 4 mmol/L,之后加入巯基化合物;
步骤3. 调节混合溶液的pH值为8.0 ~ 11.0,加入硫源水溶液,充分混合均匀;
步骤4. 将步骤3得到的混合溶液转移至微波水热反应器中,微波水热反应,反应温度150 ~ 180°C,反应时间15 ~ 60 min,反应产物冷却至室温后,离心、洗涤,干燥后得硫化铜锌锡量子点。
3.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于:所述的SnII盐为SnCl2、Na2SnCl4、SnSO4或SnF2,CuII盐为CuCl2、CuSO4、Cu(CH3COO)2或Cu(NO3)2, ZnII盐为ZnCl2、ZnSO4、Zn(CH3COO)2或Zn(NO3)2。
4.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于:所述的SnII盐、ZnII、CuII盐的摩尔比为1:1:2。
5.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于:所述的混合溶液中总的金属离子的浓度为4 ~ 16 mmol/L。
6.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于:所述的硫源为Na2S、H2S、CS(NH2)2、CH3CSNH2或RSH。
7.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于:所述的总的金属离子和硫源中S元素的物质的量之比为1:1~1:2.5。
8.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜锌锡量子点的方法,其特征在于:所述的稳定剂为六偏磷酸钠、三乙醇胺或氨三乙酸。
9.根据权利要求1或2所述的合成硫化铜铟量子点的方法,其特征在于:所述的巯基化合物选自巯基酸S(CH)nCOOH或巯基醇S(CH)nCH2 OH,其中n= 2~6。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的