[发明专利]多通道石英晶体微天平检测装置无效
申请号: | 201310441786.6 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103471950A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 梁金星;黄佳 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01N5/00 | 分类号: | G01N5/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通道 石英 晶体 天平 检测 装置 | ||
1.多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:包括上针探头(16)、下针探头(18)、底座(1)、石英晶片(12)、硅胶垫片(8)和封盖(4),所述底座(1)上表面设有底座凹槽(2),在所述底座凹槽(2)内嵌置有石英晶片(12),所述石英晶片(12)下表面中部设有开口向下两个以上相互独立的石英晶片凹槽,在所述石英晶片(12)整个下表面镀有一层下电极,在所述每个石英晶片凹槽的背面对应位置均镀有一层上电极,所述硅胶垫片(8)设置在底座(1)的上面,在所述硅胶垫片(8)上与所述石英晶片凹槽对应位置开有上下贯通的中心长通孔(10),所述所有石英晶片凹槽均位于所述中心长通孔(10)横截面范围内,所述中心长通孔(10)横截面位于所述石英晶片(12)横截面范围内,所述封盖(4)位于所述硅胶垫片(8)上;
在所述封盖(4)上分别开设进样通道(5)和出样通道(6),与所述石英晶片(12)、中心长通孔(10)和封盖(4)的下表面构成连通池,所述上电极通过镀层引线引向石英晶片(12)边缘,所述上针探头(16)穿过封盖(4)和硅胶垫片(8)通过镀层引线与所述上电极连接,所述下针探头(18)穿过底座(1)与所述下电极连接。
2.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述上电极、下电极和镀层引线为铬和金镀层。
3.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述石英晶片(12)的厚度为16μm-30μm,石英晶片(12)的基本频率范围为30MHz-100MHz。
4.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:硅胶垫片(8)的厚度为100μm-1000μm。
5.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述上针探头(16)为上弹簧针探头,下针探头(18)为下弹簧针探头。
6.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述封盖(4)和底座(1)的制作材料为石英玻璃或者有机玻璃。
7.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述底座(4)、硅胶垫片(8)和封盖(4)通过一对螺丝杆连接。
8.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述中心通孔(10)的形状为足球场形。
9.根据权利要求1所述的多通道石英晶体微天平检测装置,其特征在于:所述石英晶片(12)的厚度大于底座凹槽(2)的深度,且石英晶片(12)的横截面比底座凹槽(2)的横截面小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310441786.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:涂布后干涂量的测量方法
- 下一篇:硅片加工装置